退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
张庆瑜; 都健; 潘石; 吴世法;
大连理工大学,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;
大连理工大学,物理系,辽宁,大连,116024;
Ge2Sb2Te5薄膜; 射频磁控溅射; 相变; 光学特性; 激光辐照;
机译:用于相变存储应用的Ge2Sb2Te5 / ZnSb堆叠薄膜的相变特性的改善
机译:用于相变存储应用的硼注入Ge2Sb2Te5薄膜的相变特性
机译:用于相变存储器的Sn掺杂Ge2Sb2Te5薄膜的特性
机译:电介质材料在相变存储器中的Ge2SB2Te5薄膜的结晶行为和界面反应
机译:研究镉处理对光致发光和薄膜电致发光应用中的氧化锌镓锰薄膜的影响。
机译:纳秒紫外光脉冲诱导的Ge2Sb2Te5相变存储薄膜的结构转变
机译:相变存储器的Ge2Sb2Te5薄膜的湿法刻蚀特性
机译:Ge2sb2Te5(GsT)硫属化物薄膜的光电导特性分析在新型电子学中的应用
机译:制造薄膜结构的方法,使用该薄膜结构的存储节点的方法,使用该薄膜结构的相变随机存取存储器的制造方法,使用该薄膜结构的相变随机存取存储器的存储节点
机译:相变存储器具有相反的相变特性,相变存储器具有高度集成的三维结构,使用相同的结构
机译:3相变随机存取存储器具有相反的相变特性,相变随机存取存储器具有高密度的三维结构,使用相同的结构
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。