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张颖; 魏慎金; 易歆雨; 程帅; 陈坤; 朱焕锋; 李晶; 吕磊;
复旦大学光科学与工程系,上海200433;
上海超精密光学制造工程技术研究中心,上海200433;
复旦大学(教育部)微纳光子结构重点实验室,上海200433;
潍坊医学院医学物理系,山东潍坊261053;
钛掺杂Ge2Sb2Te5薄膜; 相变特性; 热稳定性; 数据保持能力;
机译:用于相变存储应用的Ge2Sb2Te5 / ZnSb堆叠薄膜的相变特性的改善
机译:氮和硅共掺杂Ge2Sb2Te5薄膜以改善相变存储性能
机译:通过掺杂Si用于相变随机存取存储器来改善Ge2Sb2Te5薄膜的电性能
机译:用于相变存储器的氮掺杂Ge2sb2te5薄膜的电性能和晶体结构
机译:大气压化学汽相沉积织构化氧化锌,掺杂的二氧化钛和掺杂的氧化锌薄膜。
机译:硒掺杂Ge2Sb2Te5合金的结构转变和增强的相变性能
机译:Zn掺杂Ge2sb2te5薄膜的相变行为
机译:Ge2sb2Te5(GsT)硫属化物薄膜的光电导特性分析在新型电子学中的应用
机译:钴掺杂二氧化钛薄膜的制造方法,钴掺杂二氧化钛薄膜及多层结构
机译:活性阴极材料,通过使用这种材料,可改善其掺杂特性,改善掺杂和二次锂电池的特性
机译:核-壳结构中的二氧化钛纳米复合物以及在二氧化钛纳米粉末上均匀地掺杂金属纳米颗粒并使用二氧化钛薄膜均匀涂覆二氧化钛纳米粉末的方法
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