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强型; 工作电压范围; 电源电压; 电流脉冲; 高峰值; 内部电路; 标准管; 欠压; 开关模式; 峰值电流;
机译:液相沉积-TiO2栅氧化物表征增强型n沟道硫处理的InP MOSFET
机译:p和n-GaN /蓝宝石衬底上增强型n沟道GaN MOSFET的几何形状和短沟道效应
机译:增强型GaAs n沟道MOSFET
机译:InP衬底上的高电流增强型N沟道InGaAs MOSFET,最大漏极电流为1.3 A / mm
机译:空穴传输in沟道MOSFET的能带结构和详细的量子效应。
机译:GE N沟道MOSFET具有ZrO2电介质实现改进的移动性
机译:布局强化高压N沟道横向扩散MOSFET的ESD性能
机译:辐射诱导sOI n沟道LDmOsFET的退化
机译:用于双线圈旋转电流发生器的MOSFET控制电路具有N沟道MOSFET,该N沟道MOSFET接到三相发电机的顶部和底部线圈中,以使线圈串联或并联工作。
机译:组件例如动态RAM用于电子系统的存储组件模块,具有带N沟道MOSFET的预充电/均质电路,其扩散区域与两个N沟道MOSFET的扩散区域分开
机译:通过场效应例如半导体场效应可控制半导体组件的方法续接各种类型的场效应晶体管,例如N沟道MOSFET,双扩散MOSFET(DMOSFET)等。带有通道区的半导体本体
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