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刘伟吉; 曾庆明; 李献杰; 敖金平; 赵永林; 郭建魁; 徐晓春;
信息产业部电子第十三研究所;
WN/W; 难熔栅; CHFET; HIGFET; 场效应晶体管;
机译:利用超薄$ hbox {SiO} _ {X} $改进的Ge表面钝化,实现具有HfSiO / WN栅叠层的高迁移率表面沟道pMOSFET
机译:在耐火栅自对准GaAs MESFET制造工艺中,使用WN / sub x /薄膜作为密封剂的新型盖退火技术
机译:具有双势垒栅分隔沟槽的新型增强型AlGaN / GaN HFET
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:栅漏电流在AlGaN / GaN肖特基栅HFET和MISHFET中引起的陷阱
机译:砷化镓高性能元件试验线。 saRGIC HFET(自对准耐火栅集成电路/ Hetro-junction FET)设计手册
机译:自对准形成具有掩埋浮栅,尖端浮栅和尖端沟道区的浮栅存储器单元的半导体存储器阵列的方法,以及由此制成的存储器阵列
机译:具有自对准栅极和增加的沟道长度的嵌入式沟道绝缘栅场效应晶体管
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