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晓晔;
无;
分子束外延法; α-SiC基片; SiC薄膜; 外延生长;
机译:汽-液-固机理在同轴(0001)衬底上低温同质外延生长α-SiC
机译:固体源分子束外延在#alpha#-SiC(0001)上SiC同质和异质外延生长的机理
机译:固体源MBE在硅稳定化的α-SiC(0001)上确定SiC的外延生长
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:4H-SiC衬底上4H-SiC圆形膜的杨氏模量和残余应力的研究
机译:SiC(0001)基衬底上无意识掺杂的MBE生长的GaN中Si和O施主杂质的研究
机译:siC(0001-)和siC(0001)表面的比较氧化研究
机译:通过在SiC衬底上外延生长SiC外延膜来制造碳化硅单晶衬底的方法
机译:氨源MBE在SIC衬底上的GAN选择性生长
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