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程东方; 张铮栋; 吕洪涛;
上海大学微电子研发中心;
新型显示技术及应用集成教育部重点实验室;
上海200072;
闩锁效应; 多子保护环; 高阻衬底;
机译:用于衬底注入的集成电路抗扰度预测的综合仿真模型
机译:用于射频CMOS CMOS集成电路的氦3轰击在局部半绝缘的硅衬底上的高 $ Q $ tex-math> inline-formula>电感器
机译:蓝宝石衬底上GaN中的发光功率集成电路的发光二极管和功率金属氧化物半导体沟道高电子迁移率晶体管的单片集成
机译:重掺杂衬底上回焊技术的研究及其在高阻厚外延大规模生产中的应用
机译:具有位阻酚部分结构的抗糖尿病药物的研究与开发
机译:LIN0431蛋白质的溶液核心核心型Innocua的NMR结构揭示了与细菌转录抗阻毒蛋白NUSG结构域II的高结构相似性
机译:坡莫合金电沉积高阻N型硅衬底的静态和动态磁化研究
机译:抗剪切减阻聚合物。第一部分聚合物减阻的分子研究及实验室筛选方法的发展
机译:用于注入集成电路生产中的半导体晶片的方法包括在衬底上施加非晶层,施加抗反射层和抗蚀剂层,构造抗蚀剂层以及注入离子
机译:包括具有高电阻或半绝缘半导体衬底的集成电路的形成方法,该半导体衬底上具有薄的低电阻有源半导体层
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