高阻衬底集成电路抗闩锁效应探讨

摘要

闩锁效应会严重导致电路的失效,甚至是烧毁芯片.采用增加多子保护环的方法来抑制功率集成电路的闩锁效应,而且给出环宽设计、环距与寄生闩锁触发阈值的数量关系,并且比较了不同结深的工序作为多子环的效果.对于给定的设计规则,比较了不同电阻率衬底材料的CMOS单元中的闩锁效应,结果表明了合理设计可以有效地改善高阻衬底的寄生闩锁效应.