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王向武; 程祺祥; 张岚;
南京电子器件研究所;
金属有机化合物气相沉积; 砷化镓; 碳掺杂;
机译:掺Siδ的Al / sub 0.25 / Ga / sub 0.75 / As / GaAs和拟晶Al / sub 0.25 / Ga / sub 0.75 / As / In / sub 0.25 / Ga / sub 0.75 / As /中的量子阱霍尔器件LP-MOCVD生长的GaAs异质结构:性能比较
机译:MOCVD生长的掺锂ZnS外延层的发光特性
机译:InP发射极和GaAs_(1-y)Sb_y之间应变的GaAs隔离层对MOCVD生长的InP / GaAs_(1-y)Sb_y / InP DHBTs的结构性能和电学特性的影响
机译:固体源分子束外延生长的掺碳GaInP / GaAs异质结双极晶体管的高温特性
机译:导电原子力显微镜研究金和碳表面上重氮鎓衍生膜和混合模式键合层中电子传输的过程
机译:以AlN / GaN超晶格为阻挡层的MOCVD法生长GaN HEMT中的2-DEG特性
机译:通过mOCVD直接在Gaas衬底上生长高质量Inp层
机译:Gaas衬底上生长的mOCVD CdTe外延层中的晶格参数异常
机译:通过MOCVD生长带有梯度掺碳基层的异质结双极晶体管
机译:MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长单晶藻类层的研究。
机译:通过MOCVD生长具有拉伸梯度碳掺杂基极层的异质结双极晶体管
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