GaAs衬底上ZnO薄膜的MOCVD生长及特性研究

摘要

在GaAs(001)衬底上采用MOCVD方法沉积了ZnO薄膜,并研究了衬底温度和氧气流量对ZnO薄膜结晶性能及光电特性的影响.在610℃,O<,2>流量为130sccm时,ZnO薄膜结晶质量最好,(002)衍射峰半高宽PWHM最低赕0.185°.O<,2>流量增加,薄膜光致发光谱中近带边发射明显增强,深能级峰明显减弱,二者峰强比值最高达53:1.O<,2>流量的增加,也影响着ZnO薄膜的电参数,在610℃,O<,2>流量为180sccm时,薄膜电子迁移率最高,为30.4cm<'2>/Vs,电阻率也最高,为647Ucm,相应载流子浓度最低,为1.2×10<'14>cm<'-3>.