p-InGaN层厚度对p-i-n结构InGaN太阳电池性能的影响及机理

周梅; 赵德刚

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p-InGaN层厚度对p-i-n结构InGaN太阳电池性能的影响及机理

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研究了p-lnGaN层厚度对p-i-n结构InGaN太阳电池性能的影响.模拟计算发现,随着p-InGaN层厚度的增加,InGaN太阳电池效率降低.较差的p-InGaN欧姆接触特性会破坏InGaN太阳电池性能.计算结果还表明,无论欧姆接触特性好坏,随着p-InGaN层厚度的增加,短路电流下降是导致InGaN电池效率降低的主要原因.选择较薄的p-InGaN层有利于提高p-i-n结构InGaN太阳电池的效率.

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来源
《发光学报》 |2015年第5期|534-538|共5页
作者
周梅; 赵德刚;
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作者单位

中国农业大学理学院应用物理系,北京100083;

中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京100083;

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正文语种 chi
中图分类化合物半导体;
关键词
InGaN; 太阳电池; p-i-n结构;

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