机译:掺Mg的p-InGaN层制备的InGaN / GaN p-i-n光电二极管
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机译:Ni / Au与p-GaN之间的接触电阻率很低,这是通过掺杂Mg的薄p-GaN和p-InGaN化合物接触层实现的
机译:使用p-InGaN和p-InGaN / p-GaN超晶格作为p型层的InGaN MQW绿色LED
机译:高速光电探测器的设计,分析和宏观建模,强调了联合打开效应雪崩光电二极管和横向p-i-n光电二极管。
机译:独立式GaN衬底上注入Mg和掺杂Mg的GaN层中缺陷的比较分析
机译:基于O-2退火的Mg掺杂GaN的InGaN / GaN多量子阱的增强电致发光强度