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肖建伟; 刘宗顺; 刘素平; 方高瞻; 胡长虹; 李秀芳; 鲁琳; 徐素娟;
中国科学院半导体研究所;
量子阱激光器; 列阵; 大功率; 半导体激光器; 器件;
机译:高功率连续和准连续波InGaAsP / InP宽波导分离限制异质结构多量子阱二极管激光器
机译:具有阱中孔结构和应变调制层的InP基InAs量子点激光器的大功率连续波操作
机译:高功率2.4μm重应变Ⅰ型量子阱GaSb基二极管激光器,连续波输出功率超过1 W,最大功率转换效率为17.5%
机译:无铝InGaAs / GaAs / InGaP应变层单量子阱脊形波导激光器的大功率连续波工作
机译:III-V半导体量子阱系统:砷化镓二维孔系统的物理原理和中红外量子级联激光器的工程设计。
机译:电注入II型(GaIn)As / Ga(AsSb)/(GaIn)As W型量子阱激光器的高温工作发射出1.3 µm量子阱激光器
机译:量子阱DFB激光器的准三维模拟
机译:III-V半导体量子阱激光器及相关光电器件(Onsilicon)。氧化物定义的半导体量子阱激光器和光电器件:al基III-V天然氧化物
机译:量子阱结构,光学约束型量子阱结构,半导体激光器,分布式反馈半导体激光器,光谱图和量子阱结构的制造方法
机译:二维层状材料量子阱结器件,多量子阱器件以及制造量子阱器件的方法
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