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杨帆; 林哲雄; 张炜; 张金城; 王硕; 贺致远; 倪毅强; 刘扬;
中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室,广州510275;
半导体物理学; 施主表面态; AlGaN厚度; 表面态电离; 模拟;
机译:氨MBE生长的双异质结AlGaN / GaN / AlGaN HEMT异质结构的光致发光,受激发射,光反射和2DEG特性的研究
机译:AlGaN / GaN异质结构中弯曲变形和2DEG的模拟。
机译:在Fe掺杂GaN模板中生长的Algan / GaN异质结构的2deg散射分析
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:使用低Al组成的单个AlGaN层在Si衬底上生长高质量和均匀的AlGaN / GaN异质结构
机译:RHEED控制的AlGaN / GaN异质结构中高电子迁移率2DEG的MBE生长
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管
机译:具有AlGaN / GaN异质结构和异质结构场效应晶体管的半导体衬底
机译:具有Algan / GAN异质结构和异质结构场效应晶体管的半导体基质
机译:使用ZnO功能化的AlGaN / GaN异质结构晶体管的热稳定氨气传感器
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