AlGaN/InGaN/GaN双异质结构中2DEG的数值模拟

刘芳; 王涛; 姚建铨

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AlGaN/InGaN/GaN双异质结构中2DEG的数值模拟

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由于InGaN的物理性质,在传统AlGaN/GaN单异质结中嵌入一定厚度的InGaN层,会使二维电子气的密度提高为原来的近两倍.正是从导带差、极化效应两个方面分析了这种现象的原因,并且通过自洽求解泊松方程和薛定谔方程分别作出了AlGaN/InGaN/GaN双异质结和AlGaN/GaN单异质结的能级图以及2DEG的电子能量图,进一步解释了该现象.

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来源
《科学技术与工程》 |2006年第23期|4682-46844694|共4页
作者
刘芳; 王涛; 姚建铨;
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作者单位

国家重点实验室,天津大学激光与光电子研究所,天津大学精密仪器与光电子工程学院,天津,300072;

国家重点实验室,天津大学激光与光电子研究所,天津大学精密仪器与光电子工程学院,天津,300072;

国家重点实验室,天津大学激光与光电子研究所,天津大学精密仪器与光电子工程学院,天津,300072;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
二维电子气; 导带差; 极化; 自洽求解;

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