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李建华; 麦振洪; 崔树范;
不详;
超晶格半导体; 弛豫; 应变; X射线衍射;
机译:GaAs / InGaAs应变层超晶格热处理的X射线衍射研究
机译:原位X射线衍射测量衬底取向对在邻近GaAs衬底上生长的InGaAs层的应变弛豫机制的影响
机译:X射线双晶衍射分析结合在Si上的InP / InGaAsP晶片的应变
机译:X射线衍射实时研究晶格不匹配的InGaAs / GaAs中的应变弛豫
机译:使用X射线衍射和会聚光束电子衍射测量应变硅的晶格应变和弛豫效应
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:原子层分子束外延生长的交替应变(GaAs)n(GaP)m(GaAs)n(InP)m超晶格的高分辨率电子显微镜和X射线衍射表征。
机译:InGaas / Gaas和Gaas / InGaalas相干应变超晶格光电二极管的性能特征
机译:在高应变InGaAs,InGaAsN,InGaAsNSb和/或GaAsNSb量子阱的生产中作为表面活性剂的原子氢
机译:通过高能离子注入的晶格匹配的InGaAs / InGaAsP多量子阱结构的光电器件外延层结构及其制造方法
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