弛豫

摘要： 随着对气体水合物生长及分解微观机理研究的逐渐深入,水合物晶胞作为生长种子或分解前体结构,其弛豫平衡是获得稳定初始构型并开展分子模拟的重要环节。选取3×3×3 sⅠ型甲烷水合物晶胞,设定了不同弛豫方案,基于512笼数量、体系温度及分段密度数据,对弛豫结果进行了分析。研究表明:NVT系综弛豫有利于提高体系的结晶度,而NPT系综弛豫能加速水合物晶胞构型的形成;弛豫温度和压力的设定需综合考虑所选分子力场的相平衡条件及冰点。对于所研究体系,确定弛豫温度为250 K,弛豫压力为10 MPa,首先在NVT系综下弛豫100 ps,而后在NPT系综下弛豫100 ps,即可进行产生相模拟。

摘要： 为拓宽高强钢板的回火工艺窗口,采用轧后空冷弛豫技术结合在线淬火(DQ)的工艺生产出了综合性能优良的低合金高强钢板Q960D,并进一步研究了不同回火温度对钢板性能和组织的影响。结果表明,经560~650°C回火处理后,钢板显微组织均为板条马氏体,随着回火温度升高,板条宽度逐渐增大,板条内部和界面的析出物逐渐增多。屈服强度较直接淬火后强度有所升高,但整体较稳定;维氏硬度范围为350~410 HV,且随回火温度升高,硬度逐渐下降。试验钢板回火后强度稳定、塑韧性佳,说明采用轧后空冷弛豫技术结合在线淬火(DQ)工艺生产的Q960D高强钢板热稳定性好,可拓宽其回火工艺窗口。

摘要： 在运输过程中,苹果的质量不断下降,导致苹果滞销严重,造成了很大的经济损失。现有的苹果品质检测技术虽然能够精准判断苹果是否发生损伤,但是价格高昂,体积庞大,难以推广使用。针对以上情况,探索了一种基于弛豫光谱技术和BP神经网络算法的苹果损伤检测方法。文中以红富士苹果为实验对象,通过自主搭建的弛豫光谱采集系统采集光谱信号,使用SNV算法优化光谱数据,基于BP神经网络算法构建SNV-BP-RS苹果损伤检测模型,该模型准确率为91.48%,检测用时为0.291 s。文中同时基于传统光谱建立了SNV-BP-CS苹果损伤检测模型,该模型准确率为86.39%,检测用时为0.454 s。经过对比,所提出的检测方法大大降低了光谱检测系统对检测波段的需求,检测系统具有体积小、价格低等优势,检测模型准确率高,稳定性良好,为水果高效、低成本判伤提供一种新的思路。

摘要： 该文总结了铌镁酸铅系弛豫铁电单晶材料的发展历程,铌镁酸铅系单晶材料的压电常数由最初的1540 pC/N提升至4000 pC/N,制备单晶的主要方法为改进的布里奇曼法。根据单晶的组分不同,工艺条件也有差别,在改进其性能的过程中其理论依据逐渐完善,弛豫铁电单晶高压电效应的根源是单畴剪切压电效应,在实际研究中可通过宏观或微观地改变局部结构对铁电相进行设计,使铁电自由能分布曲线变得平坦,从而达到提高其压电性能的目的。铌镁酸铅基弛豫铁电单晶性能优异,可替代锆钛酸铅(PZT)陶瓷而广泛用于医用超声探头、水下声纳及压电驱动器等领域。

摘要： 随着合成MRI技术的发展和改进,这一技术在临床多个领域被应用.近年来我国专家积极开展了合成MRI的临床应用和科研,将合成MRI应用于中枢神经系统、骨肌、乳腺、腹部和前列腺等多个部位,较好地体现了合成MRI的临床应用价值和科研价值,但合成MRI的临床应用目前还未能普及.合成MRI可以通过一次扫描,同时获取弛豫定量图谱和多种对比度图像,为疾病的诊断和评估提供新的助力,并且可以推动MRI大数据库的建立.我们应该更好地发挥合成MRI的优势,积极推进这一技术的落地应用,造福广大患者,助力健康中国.

摘要： 单分子磁体具有磁性的双稳态,在阻塞温度以下,表现出磁滞回线,在交流磁场中表现出慢弛豫现象。得益于它良好的磁性行为,单分子磁体在超高密度存储材料、量子计算、自旋电子学等领域具有广泛的应用前景。稀土元素由于具有大的轴各向异性而成为单分子磁体研究的热点,本论文主要结合单分子磁体的表征手段介绍近年来稀土单分子磁体在结构与性能方面取得的最新进展。

摘要： 金属玻璃微观结构非均匀性与其弛豫行为、形变机制的本征关联是本领域的重要科学问题之一.本研究以La_(30)Ce_(30)Ni_(10)Al_(20)Co_(10)高熵金属玻璃为研究载体,借助动态力学分析仪探究了物理时效和循环加载对金属玻璃弛豫行为和形变机制的影响,基于激活能图谱模型建立了变形载体和微观结构非均匀性之间的关联.研究结果表明, La_(30)Ce_(30)Ni_(10)Al_(20)Co_(10)高熵金属玻璃表现出明显的β弛豫行为.玻璃转变温度以下的物理时效和循环加载诱导金属玻璃跃迁至结构更稳定状态,抑制了原子协同重排运动.物理时效过程中类液区转变为弹性基底导致变形载体被冻结,需要更长时间才能激活.循环蠕变过程中变形载体数目在应力作用下减少.类液区体积减少诱导β弛豫强度降低表明β弛豫起源于类液区.

摘要： 研究了低碳成分Q690D在线淬火(DQ)状态下组织和屈强比的关系.结果显示:随着冷速降低,其组织依次为以板条贝氏体、针状铁素体、粒状贝氏体和粒状贝氏体+多边/准多边形铁素体.其屈强比依次为0.88～0.92、0.86～0.88、0.84～0.86、0.83～0.84.另外,研究还发现通过降低入水温度(弛豫)可降低屈强比,屈强比可降低至0.80～0.82.

摘要： 涨落、弛豫和输运(耗散)是微观粒子接近平衡态时的主要非平衡过程.这3个非平衡过程是由趋于平衡的倾向决定,存在一些深刻的内在联系.在宏观上,如果处在平衡态的系统受到短暂的小扰动,系统将会偏离平衡;如果扰动取消,其回到平衡的弛豫过程应是相同的,这由系统的内部性质决定,而与偏离平衡的开始原因无关.因此,涨落、弛豫以及输运的系数都可以采用平衡态的物理量进行描述,而涨落耗散理论围绕系统平衡态的涨落、弛豫与输运过程性质之间的关系,是描述这三个物理过程在平衡系统与非平衡系统之间变化关系的理论.对涨落耗散理论在宏观中的应用进行了深入的探讨,并为后续研究工作提供一定的参考.

摘要： 基于多组态Dirac-Fock方法,理论研究了钠原子2p光电离过程高分辨率的光电子谱及振激跃迁过程的相应伴线谱。展示并解释了正常光电离和强振激跃迁过程相应光电子谱的主要特征;结果表明光电离后2p空穴的电子关联在一定程度上改变了相应谱线的能量位置,对出射光电子谱的结构有很大影响。实验测量与理论模拟谱之间的一致性说明了该理论方法的可靠性,从而能够正确辨认相应的实验观测谱线。

摘要： 利用X射线衍射、差分扫描热分析(DSC)、电滞回线和介电常数的测量等研究了经高能电子辐照的共聚物P(VDF-TrFE)56/44mol﹪和80/20mol﹪的相变特性和弛豫现象.结果表明,适量电子辐照不仅可以把低VDF含量的P(VDF-TrFE)56/44mol﹪从正常铁电体转变为弛豫铁电体,而且可以把高VDF含量的P(VDF-TrFE)80/20mol﹪转变为驰豫铁电材料.从而为此类巨电致伸缩材料的应用奠定了基础,扩大了其在机电装置方面的应用范围.

摘要： 该文用飞秒时间分辨激发--探测技术研究了InAs/GaAs异质结构中的非平衡载流子的快速俘获和弛豫过程。

摘要： 运用热模拟技术和TEM分析法,研究了C-Ti-Mo和C-Nb-Mo两种简单成分钢奥氏体变形后弛豫过程中微合金元素Nb,Mo在析出物中的相互作用。结果表明:在850°C变形后弛豫1000s,C-Ti-Mo和C-Nb-Mo钢均保持了奥氏体状态且两种简单成分钢中均有析出发生,能谱分析显示析出颗粒分别是Ti(C,N)和含Mo的Nb(C,N).微合金元素Mo与Nb有较强的相互作用,在Nb(C,N)析出后,Mo可能溶入Nb(C,N)的析出颗粒之中.

摘要： 本文提出了用于分析硅纳米梁静态弯曲的半连续体模型.与传统的连续体模型相比,该方法考虑了厚度方向进入纳米尺度所带来的物理特性的离散化现象.基于Sun-Zhang提出的应变能量计算模型,运用变分原理,推导出半连续体模型.从计算结果可以看出,几何尺寸和表面原子的重构、弛豫效应对梁的弯曲有一定影响.该模型分析梁的弯曲得到的结果与连续体模型相比偏小,随着尺寸的增大误差逐渐减小,在宏观尺寸下两种模型最终趋于一致.

摘要： 用传统的固相烧结工艺制备了Sr2-xCaxBi4Ti5O18(x=0～2.0),Sr2-xCaxBi4Ti5O18和Sr2-xBaxBi4Ti5O18(x=0～2.0)陶瓷样品.掺杂Ca使晶格常数变小,而Ba占据A位使晶格常数变大.Sr2-xCaxBi4Ti5O18具有良好的铁电性能,其剩余极化值(2Pr)约为20.3μC/cm2,小量掺杂Ca可小幅度地提高样品的铁电性能,但Ca完全取代Sr后使样品的铁电性能消失.Sr2-xBaxBi4Ti5O18样品的2Pr随着x的增大而减小,Sr2-xCaxBi4Ti5O18样品2Pr在常温下仅为0.3μC/cm2.Sr2-xCaxBi4Ti5O18的相变温度(Tc)随着x的增大而升高,Sr2-xCaxBi4Ti5O18的Tc随着x的增大,先出现了下降后上升的变化过程,Sr2-xCaxBi4Ti5O18样品的介电结果表现出典型弛豫特征.

摘要： 研究了非晶和纳米晶FeZrNbBCu软磁材料的抗腐蚀的能力以及腐蚀对纳米晶软磁材料性能的影响.非晶材料晶化后抗腐蚀能力降低,主要是由于纳米晶晶界的抗腐蚀性较差的原因.材料腐蚀后将会在其表面形成一层氧化层,从而导致软磁性能的降低,磁谱测量发现,腐蚀后的样品在较大磁场下磁化时具有两个弛豫过程,在低磁下只表现为一个弛豫过程.

摘要： 为了改善BST铁电薄膜的结晶性能,降低薄膜材料的铁电弛豫和弥散相变特性,采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)方法在Pt/Ti/SiOSi基片上制备出了不同铅掺杂的BST薄膜(PBST).研究了PBST薄膜的微观结构及其介电、铁电性能.XRD、AFM分析表明,铅对(101、110)峰的生长促进作用最大,掺入5mol﹪Pb以上的PBST薄膜的结晶状况得到了明显改善;铅的引入使晶粒增大,降低了薄膜的频率色散现象,相变温区有不同程度紧缩;薄膜的介电、铁电性增强.PBST(0.80/0.20/0.05)薄膜具有适当的相变温区、合适的T值、较小频率色散及比BST薄膜更为明显的介电峰与铁电性等特征,可以作为UFPA系统的探测材料.

摘要： 本文研究了低碳低合金钢通过热轧,特别是终轧后的弛豫、析出过程控制及加速冷却、回火后得到的中厚板组织及性能.实验结果表明:该低碳低合金中厚板的屈服强度可达到800MPa级,其冲击韧性,特别是低温中冲击韧性非常好,该钢的微观组织为微米级的板条状贝氏体.

摘要： 用透射电镜观察原始态Ag/Ni纳米多层膜元素层间界面处的晶格应变,及经适当热处理后点阵应变发生弛豫的现象.实验结果与理论预测相符.

摘要： 在钽钪酸铅中加入钛酸铅,形成具有复合钙钛矿结构的钽钪酸铅-钛酸铅固溶体,可以提高钽钪酸铅材料体系的居里点,降低其制备温度,从而扩大该体系的应用范围.用一步法合成了钽钪酸铅-钛酸铅陶瓷,测试了介电常数和温度的关系.实验结果表明,这种陶瓷的钙钛矿相含量均在90﹪以上,最高相含量达100﹪;该种陶瓷的工艺简单,合成温度低,钙钛矿含量高,有望在工业化生产中得到推广.

摘要： 本发明披露的弛豫材料钨铁酸铅是经一步或两步加热处理，在掺杂或非掺杂条件下合成的。本弛豫材料的磁滞效应几乎可以忽略，用它制造的传感器在很宽的范围内0.5MPa～415MPa具有测量压力的能力，其准确度为±0.05%。

摘要： 公开了一种弛豫振荡器和控制弛豫振荡器的方法。所述弛豫振荡器包括参考电压生成电路，被配置为根据基于晶体管的电阻器生成参考电压；可变电压生成电路，被配置为基于参考电压和控制开关生成可变电压；阈值电压生成电路，被配置为使用开关电容器电阻器电路生成阈值电压；和开关控制电路，被配置为基于可变电压和阈值电压输出用于控制控制开关的控制信号。

摘要： 本发明披露的弛豫材料钨铁酸铅是经一步或两步加热处理，在掺杂或非掺杂条件下合成的。本弛豫材料的磁滞效应几乎可以忽略，用它制造的传感器在很宽的范围内0.5MPa～415MPa具有测量压力的能力，其准确度为±0.05％。

摘要： 本发明公开了一种磁弛豫/荧光双模式传感器及其制备方法和应用，属于新功能材料与生物传感检测技术领域。本发明先合成Gd2O3:Eu3+纳米颗粒，对其进行氨基功能化后进一步合成信号探针Gd2O3:Eu3+‑AFB1‑PAbs；其次再合成磁分离探针MB‑AFB1‑mAbs，将上述两种探针合成夹心式结构的双模式传感器，中间为目标物黄曲霉毒素B1。本发明制备的磁弛豫/荧光双模式免疫传感器，实现了对黄曲霉毒素B1的高灵敏检测，相比于其他分析技术，本发明制备的双模式免疫传感器准确度更高、灵敏性好、信号输出方式有双重选择，为食品中污染物的检测提供了一个新思路。

摘要： 本发明公布了一种复合绝缘子老化核磁质子密度和弛豫谱联合检测方法，包括以下步骤：S1.对绝缘子进行弛豫谱数据检测采集；S2.对绝缘子进行质子密度数据检测采集；S3.根据采集的所述质子密度数据对所述弛豫谱数据进行归一化处理，得到横向弛豫时间谱数据；S4.根据所述横向弛豫时间谱数据，对绝缘子的老化度进行量化评估；S5.标定弛豫谱数据结果，获得绝缘子老化分级参考。本发明基于被检样品自身的即时弛豫谱接续质子密度校准检测方法，保证了复合绝缘子伞裙材料老化度检测数据结果的准确性，避免了由于不同出厂样片差异性而造成的样片间和不同检测设备间的老化度数据结果的不一致性，从而显著降低了电网运维的工作量。本发明适用于输电线路检修。

摘要： 一种无自旋交换弛豫惯性测量装置横向光频移的抑制系统，以无自旋交换弛豫惯性测量装置为研究对象，针对由检测激光失谐导致的横向光频移的问题，通过蓝失谐和红失谐的两路检测激光进行检测的方法，同时结合利用光旋角信息调节两个检测激光器的频率使蓝失谐检测激光导致的横向光频移和红失谐导致的横向光频移相互抵消，建立了一种横向光频移的抑制方案。本发明基于无自旋交换弛豫惯性测量装置，在满足了使用远失谐的线偏振光检测激光进行信号检测的设计需求的同时，抑制了横向光频移误差，提高了信噪比，适用于无自旋交换弛豫惯性/磁场测量装置一类的产品，具有十分广阔的前景。

摘要： 本发明公开了一种固定晶格体积晶体结构弛豫的计算方法及装置，采用分块Barzilai‑Borwein步长分别更新原子位置与晶格基矢，不仅省去了多余的线极小化，也平衡了原子和晶格的尺度；利用可行集局部近似制造投影，使临时晶格基矢不会过于远离可行集，增强了算法的稳定性。

摘要： 本发明涉及金属薄带状材料的热处理技术领域，尤其涉及Fe基、Co基非晶合金带材的一种多级弛豫调控热处理设备及热处理工艺；包括依次设置的放料装置、多级弛豫调控装置、急冷装置、温控装置和收卷装置；所述多级弛豫调控装置包括n+1组高导热辊，其中n为大于等于1整数，每组高导热辊包括两个高导热辊体并且呈平行排列，每组高导热辊分别与温控装置进行连接，本发明的一种用于金属带材的多级弛豫调控热处理设备不仅能够精准调控非晶合金的结构弛豫过程以获得预期性能，并且还可以通过程控方式来实现自动化连续快速生产非晶/纳米晶带材。

摘要： 本发明涉及电子陶瓷电容器材料技术领域，具体公开了一种弛豫细晶高储能陶瓷材料、粉体及其制备方法；其陶瓷材料的化学式满足通式Ba1‑xSrxZryTi1‑yO3+(aMgO‑bAl2O3)+c(ZnO‑B2O3‑SiO2)，其中，0.2≤x≤0.8，0.1≤y≤0.5，a＝0.001～6.0mol％，b＝0.001～5.0mol％，c＝0.001～10.0wt％；本发明所制得的陶瓷材料为包含三层结构的Ba1‑xSrxZryTi1‑yO3@aMgO‑bAl2O3@c(ZnO‑B2O3‑SiO2)，依次最内层为Ba1‑xSrxZryTi1‑yO3，中间层为aMgO‑bAl2O3，最外层为ZnO‑B2O3‑SiO2。本发明制得的陶瓷材料Ba1‑xSrxZryTi1‑yO3粉体分散性良好，Ba1‑xSrxZryTi1‑yO3的粒径控制在50～500nm，MgO‑Al2O3的厚度控制在5～15nm，ZnO‑B2O3‑SiO2的厚度控制在10～30nm，且耐压强度达到28.08kV/mm，放电储能密度达到0.91J/cm3，储能效率达到72.8％，适用于生产大容量、薄介电层的多层储能陶瓷电容器。

摘要： 本实用新型涉及一种用于弛豫铁电单晶生长的料棒的制造装置，所述装置包括原料熔融区和浇铸控制区，所述原料熔融区具有容纳弛豫铁单晶原料的容纳部和对所述容纳部进行加热的第一加热部；所述浇铸控制区包括供熔体流通过的浇铸控制主体和对所述浇铸控制主体进行加热的第二加热部，所述浇铸控制主体与所述容纳部连接；所述装置还具备用于向所述容纳部通入气体的进气部。根据本实用新型的装置，能够大幅度减少弛豫铁电单晶制备的成本，能提高晶体的出片率。