退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
贾仁需; 张义门; 张玉明; 王悦湖;
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;
4H-SiC; 同质外延生长; 水平热壁CVD; 均匀性;
机译:低温同质外延生长产生的p型4H-SiC欧姆接触形成重掺杂铝外延层
机译:低温同质外延生长产生p型4H-SiC欧姆接触形成重掺杂铝外延层
机译:观察p型4H-SiC同质外延生长过程中形成的堆垛层错
机译:低温同质外延生长铝掺杂的p型4H-SiC的Ni欧姆接触
机译:通过分子束外延生长基于III族氮化物的结和器件的异质和同质外延生长。
机译:各种缺陷对4H-SiC肖特基二极管性能的影响及其与外延生长条件的关系
机译:低压热壁化学气相沉积4H-siC外延层的同质外延生长及表征
机译:螺纹螺纹和刃口位错对4H-siC同质外延层输运性能的影响
机译:n型4h-SiC单晶基体和n型4h-SiC单晶基体的生产方法
机译:p型4H-SiC单晶的制造方法及p型4H-SiC单晶
机译:n型4h-SiC单晶基体以及n型4h-SiC单晶基体的制造方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。