4H-SiC同质外延生长系统

摘要

本发明涉及一种4H-SiC衬底上的同质外延系统，所述系统包括：反应室，用于容置4°偏角碳化硅衬底；真空机，与所述反应室相导通，用于将所述反应室抽成气压低于1×10-7mbar的真空；源气输送和控制系统，与所述反应室相导通，用于向反应室通入氢气H2直至反应室气压到达100mbar，保持反应室气压恒定，再将H2流量逐渐增至64L/min，继续向反应室通气；加热系统，与所述反应室相连接，用于将所述反应室加热升高逐渐至1400℃，进行10分钟的原位刻蚀。本发明4H-SiC同质外延生长系统在大幅的提高了外延层的生长速率，很大程度上节约了生产成本，减少了资源的浪费。