掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献检索
外文数据库(机构版)
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
外文会议
>
一般工业技术
>
Silicon carbide and related materials 2008
Silicon carbide and related materials 2008
召开年:
召开地:
出版时间:
-
会议文集:
-
会议论文
热门论文
全部论文
相关中文期刊
制冷学报
材料导报
工程设计与应用研究
衡器
深冷技术
声学与电子工程
衡重科技
质量与市场
制冷技术
设计
更多>>
相关外文期刊
Renewable Power Generation, IET
材料技術
Powder diffraction
International bottler & packer
Production Engineers Journal, Institution of
International journal of mechanics and materials in design
Materials Science and Engineering
Packaging review South Africa
International journal of nanomechanics science and technology
Pack report
更多>>
相关中文会议
第十四届全国热泵技术交流会
上海市真空学会第八届学术年会
第七届中国制冷空调行业信息大会
江苏省力学学会青年力学论坛
2009全国环境声学学术会议
2009全国工业设计教育研讨会
2005’黑龙江、浙江声学技术发展学术会议
2002年中国材料研讨会
第六届全国人-机-环境系统工程学术会议
第2届中国制冷空调工程节能应用新技术研讨会
更多>>
相关外文会议
Materials science and technology conference;MS&T08; 20081005-09;20081005-09; Pittsburgh, PA(US);Pittsburgh, PA(US)
Photonic and phononic crystal materials and devices X
Plasmonics: Metallic nanostructures and their optical properties VIII
Nanoengineering world forum 2003
The Knowledge Foundation's International Conference on Application of Superconductors: in Electronics, Communications & Computing Nov 15-16, 2001 Boston, CA
International Conference of the European Society for Precision Engineering and Nanotechnology vol.2; 20060528-0601; Vienna(AT)
2018 IEEE International Conference on Future IoT Technologies
Optical components and materials IX.
Conference on Stereoscopic Displays and Virtual Reality Systems XI; 20040119-20040122; San Jose,CA; US
ASME international design engineering technical conferences and computers and information in engineering conference 2014
更多>>
热门会议
Meeting of the internet engineering task force;IETF
日本建築学会;日本建築学会大会
日本建築学会(Architectural Institute of Japan);日本建築学会年度大会
日本建築学会学術講演会;日本建築学会
日本建築学会2010年度大会(北陸)
Korean Society of Noise & Vibration Control;Institute of Noise Control Engineering;International congress and exposition on noise control engineering;ASME Noise Control & Acoustics Division
土木学会;土木学会全国大会年次学術講演会
応用物理学会秋季学術講演会;応用物理学会
総合大会;電子情報通信学会
The 4th International Conference on Wireless Communications, Networking and Mobile Computing(第四届IEEE无线通信、网络技术及移动计算国际会议)论文集
更多>>
最新会议
2011 IEEE Cool Chips XIV
International workshop on Java technologies for real-time and embedded systems
Supercomputing '88. [Vol.1]. Proceedings.
RILEM Proceedings PRO 40; International RILEM Conference on the Use of Recycled Materials in Buildings and Structures vol.1; 20041108-11; Barcelona(ES)
International Workshop on Hybrid Metaheuristics(HM 2007); 20071008-09; Dortmund(DE)
The 57th ARFTG(Automatic RF Techniques Group) Conference, May 25, 2001, Phoenix, AZ
Real Time Systems Symposium, 1989., Proceedings.
Conference on Chemical and Biological Sensing V; 20040412-20040413; Orlando,FL; US
American Filtration and Separations Society conference
Combined structures congress;North American steel construction conference;NASCC
更多>>
全选(
0
)
清除
导出
1.
Characterization of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes by Admittance vs Temperature Analyses
机译:
通过导纳与温度分析表征4H-SiC结势垒肖特基二极管
作者:
C. Raynaud
;
D. M. Nguyen
;
P. Brosselard
;
A. Perez-Tomas
;
D. Planson
;
J. Millan
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
schottky diodes;
admittance spectroscopy;
junction barrier diodes;
activation energy;
capture cross section;
2.
Doping Concentration Optimization for Ultra-low-loss 4H-SiC Floating Junction Schottky Barrier Diode (Super-SBD)
机译:
超低损耗4H-SiC浮动结肖特基势垒二极管(Super-SBD)的掺杂浓度优化
作者:
C. Ota
;
J. Nishio
;
K. Takao
;
T. Hatakeyama
;
T. Shinohe
;
K. Kojima
;
S. Nishizawa
;
H. Ohashi
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
diode;
super-SBD;
floating layer;
doping concentration;
BFOM(baliga's figure of merit) forward recovery;
reverse recovery;
3.
300℃ SiC Blocking Diodes for Solar Array Strings
机译:
用于太阳能电池阵列的300℃SiC阻挡二极管
作者:
E. Maset
;
E.Sanchis-Kilders
;
P. Brosselard
;
X. Jorda
;
M. Vellvehi
;
P. Godignon
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
SiC diodes;
reliability;
high temperature;
space electronics;
4.
4H-SiC Schottky Barrier Diodes Using Mo-, Ti- and Ni-Based Contacts
机译:
使用基于Mo,Ti和Ni的触点的4H-SiC肖特基势垒二极管
作者:
D. Perrone
;
M. Naretto
;
S. Ferrero
;
L. Scaltrito
;
C. F. Pirri
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
4H-SiC power devices;
schottky diodes;
schottky barrier height;
electrical characterization;
5.
100 Amp, 1000 Volt Class 4H- Silicon Carbide MOSFET Modules
机译:
100A,1000V等级4H-碳化硅MOSFET模块
作者:
P. Losee
;
K. Matocha
;
S. Arthur
;
E. Delgado
;
R. Beaupre
;
A. Pautsch
;
R. Rao
;
J. Nasadoski
;
J. Garrett
;
Z. Stum
;
L. Stevanovic
;
R. Conte
;
K. Monaghan
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
4H-SiC DMOSFET;
power switching;
power module;
6.
Influence of Surface Roughness on Breakdown Voltage of 4H-SiC SBD with FLR Structure
机译:
表面粗糙度对具有FLR结构的4H-SiC SBD击穿电压的影响
作者:
Akimasa Kinoshita
;
Takashi Nishi
;
Takasumi Ohyanagi
;
Tsutomu Yatsuo
;
Kenji Fukuda
;
Hajime Okumura
;
Kazuo Arai
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
schottky barrier diode;
surface roughness;
breakdown voltage;
high temperature annealing;
7.
Investigation of On and Off State Characteristics of 4H-SiC DMOSFETs
机译:
4H-SiC DMOSFET的通断状态特性研究
作者:
Siddharth Potbhare
;
Neil Goldsman
;
Akin Akturk
;
Aivars Lelis
;
Ronald Green
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
4H-SiC DMOSFET;
on-resistance;
device modeling;
impact-lonization;
avalanche breakdown;
8.
Recent Progress of Diamond Device toward Power Application
机译:
金刚石装置在电力应用中的最新进展
作者:
Shinichi Shikata
;
Kazuhiro Ikeda
;
Ramanujam Kumaresan
;
Hitoshi Umezawa
;
Natsuo Tatsumi
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
diamond;
SBD;
high temperature;
defect;
FOM;
9.
Device Characteristics Dependence on Diamond SDBs Area
机译:
设备特性取决于Diamond SDB区域
作者:
Hitoshi Umezawa
;
Kazuhiro Ikeda
;
Ramanujam Kumaresan
;
Natsuo Tatsumi
;
Shin-ichi Shikata
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
diamond;
schottky barrier diode;
forward current;
blocking voltage;
scalability;
defects;
10.
Large single crystal diamond plates produced by microwave plasma CVD
机译:
微波等离子体CVD制得的大单晶金刚石板
作者:
Yoshiaki Mokuno
;
Akiyoshi Chayahara
;
Hideaki Yamada
;
Nobuteru Tsubouchi
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
diamond;
single crystal growth;
microwave plasma CVD;
ion implantation;
lift-off;
11.
Pulsed EPR Studies of the T_(v2a) Center in 4H-SiC
机译:
4H-SiC中T_(v2a)中心的脉冲EPR研究
作者:
J. lsoya
;
T. Umeda
;
N. Mizuochi
;
T. Ohshima
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
intrinsic defects;
EPR;
pulsed EPR;
12.
Positive Temperature Coefficient of Avalanche Breakdown Observed in a-Plane 6H-SiC Photodiodes
机译:
a平面6H-SiC光电二极管中雪崩击穿的正温度系数
作者:
Stanislav Soloviev
;
Alexey Vert
;
Jody Fronheiser
;
Peter Sandvik
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
avalanche breakdown;
a-plane;
4H-SiC;
6H-SiC;
13.
Transient Currents Induced in 6H-S1C MOS Capacitors by Oxygen Ion Incidence
机译:
氧离子入射在6H-S1C MOS电容器中感应的瞬态电流
作者:
N. Iwamoto
;
S. Onoda
;
T. Ohshima
;
K. Kojima
;
K. Kawano
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
6H-SiC;
MOS capacitor;
single event effect (SEE);
transient current;
14.
Electrical Characterization of MOS Structures with Deposited Oxides Annealed in N_2O or NO
机译:
N_2O或NO中退火的沉积氧化物对MOS结构的电学表征
作者:
M. Grieb
;
M. Noborio
;
D. Peters
;
A. J. Bauer
;
P. Friedrichs
;
T. Kimoto
;
H. Ryssel
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
4H-SiC;
(0001);
Si-face;
oxide breakdown;
reliability;
deposited oxide;
constant current-stress (CCS);
time-dependent-dielectric-breakdown (TBBD);
15.
Influence of Thermal Annealing on Ohmic Contacts and Device Isolation in AIGaN/GaN Heterostructures
机译:
热退火对AIGaN / GaN异质结构中欧姆接触和器件隔离的影响
作者:
F. Roccaforte
;
F. lucolano
;
F. Giannazzo
;
G. Moschetti
;
C. Bongiorno
;
S. Di Franco
;
V. Puglisi
;
G. Abbondanza
;
V. Raineri
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
AIGaN/GaN;
HEMT;
ohmic contacts;
2DEG;
Ti/Al/Ni/Au;
16.
High Voltage AIGaN/GaN HEMTs Employing a Tapered Field Plate
机译:
采用锥形场板的高压AIGaN / GaN HEMT
作者:
Young-Hwan Choi
;
Jiyong Lim
;
Kyu-Heon Cho
;
Young-Shil Kim
;
Min-Koo Han
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
AIGaN;
GaN;
HEMT;
tapered field plate;
leakage current;
breakdown voltage;
17.
Two broadband GaN MMIC Power Amplifiers for EW systems
机译:
用于电子战系统的两个宽带GaN MMIC功率放大器
作者:
M. Angeles Gonzalez-Garrido
;
Jesus Grajal
;
Pablo Cubilla
;
Claudio Lanzieri
;
Antonio Cetronio
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
power amplifier;
broadband amplifier;
GaN MMIC;
18.
Improved Current Gain in GaN/SiC Heterojunction Bipolar Transistors by Insertion of Ultra-thin AIN Layer at Emitter-junction
机译:
通过在发射极结处插入超薄AIN层来改善GaN / SiC异质结双极晶体管的电流增益
作者:
Hiroki Miyake
;
Tsunenobu Kimoto
;
Jun Suda
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
GaN;
AIN;
SiC;
heterojunction;
MBE;
HBT;
current gain;
19.
Seeded Growth of AIN on (0001)-plane 6H-S1C Substrates
机译:
AIN在(0001)平面6H-S1C衬底上的种子生长
作者:
O. Filip
;
B. M. Epelbaum
;
M. Bickermann
;
P. Heimann
;
S. Nagata
;
A. Winnacker
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
aluminum nitride;
crystal quality;
growth morphology;
20.
Comparative Study of 3C-GaN Grown on Semi-insulating 3C-SiC/Si(100) Substrates
机译:
半绝缘3C-SiC / Si(100)衬底上生长的3C-GaN的比较研究
作者:
Elena Tschumak
;
Katja Tonisch
;
Joerg Pezoldt
;
Donat J. As
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
heteroepitaxy;
3C-GaN;
HRXRD;
silicon;
21.
Phase Formation in Ti-AI-N MAX-Phase Contacts to GaN
机译:
Ti-Al-N MAX相接触到GaN的相形成
作者:
Michal A. Borysiewicz
;
Eliana Kaminska
;
Anna Piotrowska
;
Iwona Pasternak
;
Rafat Jakiela
;
Elzbieta Dynowska
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
MAX Phase;
Ti_2AIN;
n-GaN contacts;
PVD;
SIMS;
XRD;
22.
Process Parameters Influence on Specific Contact Resistance (SCR) Value for TiAl Ohmic Contacts on GaN Grown on Sapphire
机译:
工艺参数对蓝宝石上生长的GaN上TiAl欧姆接触的比接触电阻(SCR)值的影响
作者:
Olivier Menard
;
Frederic Cayrel
;
Emmanuel Collard
;
Daniel Alquier
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
ohmic contacts;
Circular TLM;
GaN surface cleaning;
process optimization;
23.
Two-dimensional Nucleation of Cubic and 6H Silicon Carbide
机译:
立方和6H碳化硅的二维成核
作者:
Remigijus Vasiliauskas
;
Mikael Syvaejaervi
;
Milena Beshkova
;
Rositza Yakimova
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
nucleation;
2D islands;
sublimation;
growth;
epitaxy;
24.
Direct Observation of Lifetime Killing Defects in 4H SiC Epitaxial Layers via Spin Dependent Recombination in Transistors
机译:
通过自旋相关重组在晶体管中直接观察4H SiC外延层中的终生杀伤缺陷
作者:
C. J. Cochrane
;
P. M. Lenahan
;
A. J. Lelis
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
recombination centers;
lifetime killing defects;
ESR;
EPR;
SDR;
25.
Initial Stage Modification for 6H-SiC Single Crystal Grown by the Physical Vapor Transport (PVT) Method
机译:
物理气相传输(PVT)方法生长的6H-SiC单晶的初始改性
作者:
Jung-Woo Choi
;
Chang-Hyun Son
;
Jong-Mun Choi
;
Gi-Sub Lee
;
Won-Jae Lee
;
Il-Soo Kim
;
Byoung-Chul Shin
;
Kap-Ryeol Ku
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
sublimation;
PVT;
initial stage;
growth rate;
crystal quality;
26.
Germanium Incorporation during PVT Bulk Growth of Silicon Carbide
机译:
碳化硅PVT批量生长过程中的锗掺入
作者:
Philip Hens
;
Ulrike Kuenecke
;
Katja Konias
;
Rainer Hock
;
Peter J. Wellmann
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
bulk growth;
germanium;
EDX;
Hall;
lattice parameters;
dislocations;
27.
Polytype and Crystal Quality of SiC Crystals Grown on 3C-SiC by Seeded Solution Method
机译:
晶种法生长在3C-SiC上的SiC晶体的多型性和晶体质量
作者:
Kazuaki Seki
;
Ryo Tanaka
;
Toru Ujihara
;
Yoshikazu Takeda
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
solution growth;
polytype;
stacking fault;
3C-SiC;
28.
Nucleation and Growth of 3C-SiC Single Crystals from the Vapor Phase
机译:
气相中3C-SiC单晶的成核与生长
作者:
D. Chaussende
;
J. Eid
;
F. Mercier
;
R. Madar
;
M. Pons
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
3C-SiC;
nucleation;
bulk growth;
PVT;
sublimation;
29.
High Temperature Solution Growth on Free-standing (001) 3C-SiC Epilayers
机译:
独立(001)3C-SiC外延层的高温溶液生长
作者:
Ryo Tanaka
;
Kazuaki Seki
;
Toru Ujihara
;
Yoshikazu Takeda
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
3C-SiC;
solution growth;
dipping method;
stacking faults;
30.
Top Seeded Solution Growth of 3C-SiC single crystals
机译:
3C-SiC单晶的顶级种子溶液生长
作者:
F. Mercier
;
D. Chaussende
;
J-M. Dedulle
;
M. Pons
;
R. Madar
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
3C-SiC;
solution growth;
simulation;
fluid dynamics;
31.
Atomistic and Continuum Simulations of the Homo-epitaxial Growth of SiC
机译:
SiC同质外延生长的原子和连续谱模拟
作者:
M. Camarda
;
A. La Magna
;
F. La Via
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
step-flow;
homoepitaxy;
atomistic simulations;
continuous simulations;
32.
Growth of 4H-SiC Epitaxial Layers on 4°Off-axis Si-face substrates
机译:
在4°离轴Si面衬底上生长4H-SiC外延层
作者:
A. Henry
;
S. Leone
;
H. Pedersen
;
O. Kordina
;
E. Janzen
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
4° off-axis;
step bunching;
triangular defects;
chloride-based CVD growth;
33.
P- and n-type Doping in SiC Sublimation Epitaxy Using Highly Doped Substrates
机译:
使用高掺杂衬底在SiC升华外延中进行P型和n型掺杂
作者:
Philip Hens
;
Mikael Syvaejaervi
;
Felix Oehlschlaeger
;
Peter Wellmann
;
Rositza Yakimova
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
doping;
sublimation;
compensation;
growth;
34.
Chloride-based SiC Epitaxial Growth
机译:
氯化物基SiC外延生长
作者:
H. Pedersen
;
S. Leone
;
A. Henry
;
F. C. Beyer
;
A. Lundskog
;
E. Janzen
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
chloride-based CVD growth;
high growth rate;
epilayers;
35.
Far - Action Radiation Defects and Gettering Effects in 4H-SiC Implanted with Al Ions
机译:
铝离子注入4H-SiC的远辐射缺陷和吸杂效应。
作者:
E. V. Kalinina
;
M. V. Zamoryanskaya
;
E. V. Kolesnikova
;
A. A. Lebedev
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
ion implantation;
accelerated diffusion of defects;
gettering effect;
pulsed annealing;
local cathodoluminescence;
36.
Investigation of the Metal-insulator Transition in n-3C-SiC Epitaxial Films
机译:
n-3C-SiC外延膜中金属-绝缘体转变的研究
作者:
A. A. Lebedev
;
P. L. Abramov
;
N. V. Agrinskaya
;
V. I. Kozub
;
A. N. Kuznetsov
;
S. P. Lebedev
;
G. A. Oganesyan
;
A. V. Chemyaev
;
D. V. Shamshur
;
M.O. Skvortsova
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
3C-SiC;
heterostructures;
hall effect;
magnetoresistance;
metal-insulator transition;
37.
Graphene Formation on SiC Substrates
机译:
SiC衬底上的石墨烯形成
作者:
B. L. VanMil
;
R. L. Myers-Ward
;
J. L. Tedesco
;
C. R. Eddy Jr.
;
G. G. Jernigan
;
J. C. Culbertson
;
P. M. Campbell
;
J. M. McCrate
;
S. A. Kitt
;
D. K. Gaskill
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
graphene;
SiC substrates;
Si-face;
C-face;
growth conditions;
morphology;
hall measurements;
raman spectroscopy;
38.
Spin-coupling in Heavily Nitrogen-doped 4H-SiC
机译:
重氮掺杂4H-SiC中的自旋耦合
作者:
D. V. Savchenko
;
A. Poeppl
;
E. N. Kalabukhova
;
S. Greulich-Weber
;
E. Rauls
;
W. G. Schmidt
;
U. Gerstmann
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
spin-coupling;
EPR;
ESE;
nitrogen donor;
39.
The Silicon Vacancy in SiC
机译:
SiC中的硅空位
作者:
Erik Janzen
;
Adam Gali
;
Patrick Carlsson
;
Andreas Gaellstroem
;
Bjoern Magnusson
;
N.T. Son
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
silicon vacancy;
ODMR;
EPR;
photoluminescence;
40.
Defects in 4H-SiC Layers Grown by Chloride-based Epitaxy
机译:
氯化物外延生长的4H-SiC层中的缺陷
作者:
F. C. Beyer
;
H. Pedersen
;
A. Henry
;
E. Janzen
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
Intrinsic defects;
chloride-based epitaxy;
DLTS;
MCTS;
41.
Defects Introduced by Electron-irradiation at Low Temperatures in SiC
机译:
SiC中低温电子辐照引起的缺陷
作者:
N. T. Son
;
J. lsoya
;
N. Morishita
;
T. Ohshima
;
H. ltoh
;
A. Gali
;
E. Janzen
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
intrinsic defects;
frenkel pair;
electron irradiation;
EPR;
supercell calculations;
42.
Turning of Basal Plane Dislocations During Epitaxial Growth on 4°off-axis 4H-SiC
机译:
4°离轴4H-SiC外延生长过程中基底平面位错的转向
作者:
R. L. Myers-Ward
;
B. L. VanMil
;
R. E. Stahlbush
;
S. L. Katz
;
J. M. McCrate
;
S. A. Kitt
;
C. R. Eddy Jr.
;
D. K. Gaskill
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
4° off-axis;
basal plane dislocations;
epitaxy;
4H-SiC;
43.
PL Imaging Study of In-Grown Stacking Faults in 4H-SiC Epitaxial Layer
机译:
4H-SiC外延层内生长缺陷的PL成像研究
作者:
R. Hattori
;
R. Shimizu
;
I. Chiba
;
K. Hamano
;
T. Oomori
会议名称:
《Silicon carbide and related materials 2008》
|
2008年
关键词:
stacking fault;
PL;
topography;
imaging;
4H-SiC;
epitaxial layer;
characterization;
意见反馈
回到顶部
回到首页