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第一章绪论
第二章GaN紫外探测器I-V特性的测试与分析
第三章GaN肖特基紫外探测器光谱响应特性的测试与分析
第四章GaAs衬底上生长的GaN薄膜的结构特性分析
参考文献
博士后期间发表的论文
致谢
沈晓明;
同济大学;
肖特基; 紫外探测器; 光电特性; 材料生长;
机译:使用AlN / GaN有序混合晶体层在GaAs(100)衬底上MBE生长立方GaN薄膜-一种提高立方GaN薄膜质量的新尝试
机译:缓冲层生长条件对GaAs(001)衬底上立方GaN薄膜中次级六方相含量的影响
机译:在GaAs(111)A衬底上通过MOMBE生长的Cr掺杂GaN薄膜中的室温铁磁性
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:在γ-LiAlO2(100)衬底上生长的M平面GaN薄膜的生长和表征
机译:si衬底上低残余应力GaN薄膜生长技术的发展
机译:基于电子回旋共振分子束外延生长的GaN薄膜的光电导紫外探测器
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:其上连接有GaN薄膜的衬底及其制造方法
机译:用该方法在SiC衬底上形成GaN薄膜的起升过程及装置
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