首页> 中文会议>第六届全国分子束外延学术会议 >GaAs(001)衬底上分子束外延生长六方GaN薄膜

GaAs(001)衬底上分子束外延生长六方GaN薄膜

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文在国产的MBE系统中,首次采用AlAs成核层在GaAs(001)衬底上发生出了六方GaN.采用LT-AIN代替LT-GaN作为缓冲层改善GaN外延薄膜的质量.

著录项

来源
《第六届全国分子束外延学术会议》|2001年|62-63|共2页
会议地点贵阳
作者
刘洪飞; 陈弘; 万里; 李东升; 黄绮; 周均铭;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.23;TN304.41;
关键词
GaN; GaAs衬底; 分子束外延生长; 外延层质量; 半导体材料;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. (001)GaAs衬底上异质外延的立方GaN薄膜与界面 [J] . 顾彪 ,徐茵 ,孙凯 . 半导体学报：英文版 . 1998,第4期
2. 立方GaAs(100)衬底上制备单相六方GaN薄膜 [J] . 孙一军 ,李爱珍 ,齐鸣 . 半导体学报：英文版 . 2001,第3期
3. SrTiO3（001）衬底上多层FeSe薄膜的分子束外延生长∗ [J] . 张马淋 ,贾金锋 ,葛剑峰 . 物理学报 . 2016,第012期
4. InP衬底上晶格匹配四元系InAlGaAs的气态源分子束外延生长 [J] . 王凯 ,顾溢 ,方祥 . 红外与毫米波学报 . 2012,第005期
5. GaAs(331)A衬底上分子束外延生长自组织InAs纳米结构形貌演化机制 [J] . 苗振华 ,龚政 ,方志丹 . 红外 . 2004,第009期
6. GaAs衬底上HgTe薄膜分子束外延生长和表征 [C] . 张健 ,张圣熙 ,巫艳 . 第十二届全国分子束外延学术会议 . 2017
7. GaN肖特基紫外探测器光电特性研究及GaAs衬底上生长的GaN薄膜的结构分析 [A] . 沈晓明 . 2006

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号