Micron Technology, Inc., PO Box 6, Boise ID USA 83707-0006;
University of Washington, Department of Material Science and Engineering, Box 352120, Seattle, WA 98195-2120;
immersion; polarization; reticle; birefringence;
机译:193nm掩模版雾度的最终解决方案?
机译:雾度控制:193nm处的标线/环境相互作用
机译:用于防止光刻系统中掩模版滑移的压电驱动掩模版辅助装置的设计和控制
机译:掩盖双折射在193nm光刻的影响
机译:用于自然缺陷分析的极紫外光刻掩模版的局部掩模图案
机译:层高和曝光能量对基于光刻的增材制造氧化锆零件横向分辨率的影响
机译:用于193 nm浸没式光刻的非CA抗蚀剂:化学结构对灵敏度的影响