Germanium; Silicon; Etching; Logic gates; Doping; Nonhomogeneous media; Epitaxial growth;
机译:GaAfs-on-silicon保形气相外延,使用可逆传输和与水蒸气的选择性蚀刻反应
机译:基于选择性刻蚀的高密度堆叠式MIM电容器的多层制造和RF表征
机译:2D氮掺杂石墨烯片和离子液体作为抗癌药物传感器的新方法的协同作用,在多码本和拓扑班分析中的新方法
机译:具有二维Ge / Si多层外延,出色的选择性蚀刻和共形单层掺杂技术制成的具有五个堆叠式Ge纳米片的GAAFET
机译:纳米级处理中的等离子体表面相互作用:通过硅选择性保留低k完整性和高k栅堆叠蚀刻。
机译:过渡金属吸附掺杂的ZnO单层:2D稀磁半导体电磁机构及二维
机译:应变Si0.2Ge0.8 / Ge多层堆叠在低/高温Ge缓冲层上长期生长,并选择性湿法蚀刻锗