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用Si2H6-Ge分子束外延技术生长p-SiGe沟道的反常调制掺杂结构

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采用气态Si<,2>H<,6>源和固态Ge源的国产分子束外延(MBE)系统生长了一个p-SiGe反常调制掺杂结构,变温Hall测量得出在室温下(290K)载流子(孔穴)的迁移率为113cm<'2>/Vs;在低温下(61K)载流子(孔穴)的迁移率为5876cm<'2>/Vs.对影响载流子(孔穴)的迁移率的因素进行了讨论.

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来源
《第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议》|2001年|368-370|共3页
会议地点昆明
作者
高斐; 黄大定; 李建平; 刘超; 孔梅影; 曾一平; 李晋闽; 林兰英;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类化合物半导体;
关键词
反常调制掺杂结构; 分子束外延; 迁移率; p-SiGe沟道;

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