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無機EB レジストを用いた微細パターンの作製とNIL モールドへの応用

机译:使用无机EB抗蚀剂的微观图案的制备及其在零霉型中的应用

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摘要

半導体デバイスをはじめとしたナノオーダーで作製されるデバイスの普及には目覚しいものがあり,さらなる微細化,低コスト化,高スループット化が求められている.こうした要求に応えることのできる次世代の微細加工技術としてナノインプリントリソグラフィが注目されている.モールドの凹凸パターンを樹脂に押しつけて転写するという簡便なプロセスであり,上の要求を満たすことができる.ナノインプリントリソグラフィでは,モールドの形状がそのまま転写されるため,モールドの作製が重要となる.そのため,本研究では,フォトマスクの作製等に使われる微細なパターンを加工することが可能な電子ビームリソグラフィによりモールドの作製を行った.電子ビームリソグラフィは電子ビーム径が数nm であるので,レジストへの依存度が高く,次世代の要求を満たす新たなレジストの開発は重要である.代表的なポジ型有機電子ビームレジストであるPMMAやZEP は,感度は良いが,有機レジストであるため解像度と酸素ガスを使った炭素基板のドライエッチング耐性に問題がある.しかしながら,ポジ型無機レジストではフッ化リチウムをドープしたフッ化金属が報告されているが,非常に低感度であることをはじめ,様々な制約があるため実用的であるとはいえない.また,一般的に電子ビームリソグラフィでは前方散乱を抑えるため高加速電圧(50kV 以上)で描画が行われる.しかしながら,高加速電圧で描画を行うための装置は高価であり,高加速電圧では電子とレジストとの相互作用が小さくなるため,感度は著しく低下してしまう.そこで本報では既報に引き続き,高解像度を保ちながら高感度化と低焼成温度化を目的にPhoto Base Generator (PBG) を添加したポジ型無機電子ビームレジストであるNIMO-P0701(東京応化工業社製)を用いて,描画装置の低コスト化と高スループット化を目指すため,低加速電圧で描画を行った.
机译:有显着的事情是设备的传播制造纳米在于包括半导体器件,进一步小型化,成本低,并且更高的吞吐量是必需的。纳米压印光刻引人注目作为能够满足这些要求的微细加工技术的下一代。模具的凹凸图案是简单的过程,针对树脂转移,能够满足上述要求。在纳米压印光刻,因为模具的形状被转印,因为它是,使得模具是重要的。因此,在该研究中,已经在模具中通过电子束光刻能够处理的精细图案的制造以在制造这样的光掩模来使用。由于电子束光刻是几nm的电子束的直径,高度依赖于抗蚀剂,新的发展抵抗满足下一代要求是重要的。 PMMA或ZEP典型的正型有机电子束抗蚀剂,敏感,但好,有与所述干式蚀刻用的分辨率和氧气在碳基材的电阻为有机抗蚀剂的一个问题。然而,在正无机抗蚀剂,已经报道的金属氟化物掺杂有氟化锂,开始是非常低的灵敏度不能说因为各种限制的是实用的。另外,在一般情况下,电子束光刻在高加速电压绘制用于抑制前向散射(或50千伏)被执行。然而,对于在高加速电压绘制的昂贵设备,高加速电压,因为与电子之间的相互作用抗蚀剂变小,灵敏度降低显著。因此继先前在本文中,NIMO-P0701(由Tokyo Ohka Kogyo Co.制造报道有限公司是正无机电子束抗蚀剂,同时维持高分辨率高灵敏度和目的光碱发生低烧成温度的溶液中加入(PBG))使用,用于针对以低成本和绘图装置的吞吐量高,它是在一个低加速电压绘制。

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