机译:使用工程测试台架set-2光学元件在Advanced Light Source静态微场曝光站进行低于70 nm的极紫外光刻
机译:使用学习系统增强的缺陷检测能力,适用于具有投影电子显微镜光学元件的极紫外光刻掩模检测工具
机译:0.5 NA的极紫外微曝光工具,用于16 nm以下的光刻
机译:用于极端紫外线光刻(EUVL)MicroField曝光工具(“Met5”)的第一个0.5 NA投影光学器件
机译:极紫外光刻(EUVL)掩模载体系统的建模,检测和保护方案。
机译:迈向极紫外光刻的高精度反射计
机译:用于极端紫外线光刻(EUVL)微场曝光工具(METS)的投影光学器件,数值孔径为0.5