机译:使用学习系统增强的缺陷检测能力,适用于具有投影电子显微镜光学元件的极紫外光刻掩模检测工具
EUVL Infrastructure Development Center, Inc., 16-1 Onogawa, Tsukuba-shi, Ibaraki 305-8569, Japan;
Ebara Corporation, 4-2-1, Honfujisawa, Fujisawa 251-8502, Japan;
Ebara Corporation, 4-2-1, Honfujisawa, Fujisawa 251-8502, Japan;
EUVL Infrastructure Development Center, Inc., 16-1 Onogawa, Tsukuba-shi, Ibaraki 305-8569, Japan;
mask defect; inspection; extreme ultraviolet lithography; learning system; projection electron microscopy;
机译:半间距11nm节点缺陷检测性能的极紫外光刻图案化掩模检查工具的研究
机译:B_4C覆盖层用于极紫外掩模对使用投影电子显微镜检查图案掩模的敏感性的影响
机译:用极紫外显微镜观察极紫外光刻掩模上残留型薄吸收体缺陷
机译:使用投影电子显微镜系统进行11 nm半间距生成的极端紫外光刻图案化掩模检查的最新结果
机译:极紫外光刻(EUVL)掩模载体系统的建模,检测和保护方案。
机译:极紫外光刻光源的激光产生的锡等离子体的电子密度和温度的时间分辨二维分布
机译:B4C覆盖层对极端紫外线掩模的影响对使用投影电子显微镜图案化掩模检查的灵敏度