机译:垂直注入薄膜AlGaN / AlGaN多量子阱深紫外发光二极管
机译:通过分子束外延生长的AlGa多量子孔中的组成不均匀性:对紫外线发光二极管的影响
机译:改进的波浪功能重叠和载体限制基于Algan的深紫外发光二极管,具有渐变组成多量子阱
机译:使用非极性A平面ALGAN多量子孔的紫外发光二极管
机译:以极性,半极性和非极性方向生长的InGaN / GaN多量子阱发光二极管。
机译:在基于AlGaN的深紫外发光二极管的p-AlGaN / n-AlGaN / p-AlGaN电流扩散层上
机译:在基于AlGaN的深度紫外发光二极管的P-AlGaN / N-AlGaN / P-AlGaN电流扩散层