应力补偿型InGaN-AlGaN量子阱发光二极管结构优化研究

摘要

薄的应力补偿层AlGaN的引进对InGaN量子阱结构的发光二极管输出功率和内量子效率的影响被详细考察.由理论模拟结果得知,不管是在低温还是高温,合适的应力补偿层引进都能极大改善LED器件输出功率和内量子效率.应力补偿层AlGaN的加入导致器件漏电流的降低被认为是器件效能提高的主要原因.定量优化AlGaN应力补偿层的厚度和其中Al的含量在这里也被探讨研究.计算结果表明,当应力补偿型InGaN-AlGaN量子阱结构中AlGaN厚度为1nm,Al含量为0.25时,能够获得最大的发光功效和内量子效率.