ИССЛЕДОВАНИЕ СТОЙКОСТИ МАЛОШУМЯЩИХ УСИЛИТЕЛЕЙ НА GAN НЕМТ ТРАНЗИСТОРАХ К ВОЗДЕЙСТВИЮ ВХОДНОЙ СВЧ МОЩНОСТИ

机译：GaN Nomt晶体管低噪声放大器对输入微波功率影响的研究

获取原文

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Представлены результаты теоретического и экспериментального исследования стойкости малошумя-щих усилителей на GaN транзисторах к воздействию входной СВЧ мощности. Приведены измеренные СВЧ параметры.

机译：介绍了GaN晶体管低噪声放大器对输入微波功率影响的理论和实验研究的结果。给出了测量的微波参数。

著录项

来源
《International Crimean Conference on Microwave Telecommunication Technology》|2012年||共2页
会议地点
作者
Крутов А. В.; Ребров А. С.;
展开▼
作者单位

展开▼
会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类 TN015-53;
关键词
ИССЛЕДОВАНИЕ; СТОЙКОСТИ; МАЛОШУМЯЩИХ;

机译：研究;持久性;低噪音;

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. N-face GaN/AlN/GaN/InAlN and GaN/AlN/AlGaN/GaN/InAlN high-electron-mobility transistor structures grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on vicinal substrates [J] . Ahmadi Elaheh, Wu Feng, Li Haoran, Semiconductor science and technology . 2015,第5期

机译：N面GaN / AlN / GaN / InAlN和GaN / AlN / AlGaN / GaN / InAlN高电子迁移率晶体管结构，通过等离子体辅助分子束外延在邻近衬底上生长
2. GaN系HFETsの電流コラプスの測定～非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET [J] . 杉山貴之, 本田善央, 山口雅史, 電子情報通信学会技術研究報告. 電子部品·材料. Component Parts and Materials . 2011,第45期

机译：使用非极性a面GaN衬底上的HFET和c-GaN衬底上的p-GaN栅极来测量GaN基HFET的电流崩溃-常关型JHFET
3. GaN系HFETsの電流コラプスの測定～非極性a面GaN基板上HFET及びc-GaN基板上p-GaNゲートを用いたノーマリーオフ型JHFET [J] . 杉山貴之, 本田善央, 山口雅史, 電子情報通信学会技術研究報告. シリコン材料·デバイス. Silicon Devices and Materials . 2011,第46期

机译：使用非极性a面GaN衬底上的HFET和c-GaN衬底上的p-GaN栅极来测量GaN基HFET的电流崩溃-常关型JHFET
4. 再成長p-GaN/AlGaN/GaN半極性ゲート構造を用いたノーマリオフ型GaN基板上縦型GaNトランジスタの開発 [C] . 柴田　大輔, 半田　浩之, 塩崎　奈々子, 電子デバイス研究会 . 2017

机译：使用再生p-GaN / AlGaN / GaN半极性栅极结构开发常关GaN衬底上的垂直GaN晶体管
5. Electron Microscopy Characterization of GaN-on-GaN Vertical Power Devices =Electron Microscopy Characterization of GaN-on-GaN Vertical Power Devices [D] . Peri, Prudhvi Ram. 2021

机译：GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
6. Enhanced P-Type GaN Conductivity by Mg Delta Doped AlGaN/GaN Superlattice Structure [O] . Ying Zhao, Shengrui Xu, Hongchang Tao, 2021

机译：Mg Delta掺杂AlGaN / GaN超晶格结构增强了P型GaN电导率
7. On the effect of N-GaN/P-GaN/N-GaN/P-GaN/N-GaN built-in junctions in the n-GaN layer for InGaN/GaN light-emitting diodes [O] . Kyaw, Z., Zhang, Z. H., Liu, W., 2014

机译：关于InGaN / GaN发光二极管的n-GaN层中N-GaN / P-GaN / N-GaN / P-GaN / N-GaN内置结的影响
8. GaN Power Electronics: From GaN-on-Si Lateral Transistor to GaN-on-GaN Vertical Transistor and GaN CMOS IC. [R] . Chu, R., Cao, Y., Li, R., 2017

机译：GaN功率电子器件：从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。

ИССЛЕДОВАНИЕ СТОЙКОСТИ МАЛОШУМЯЩИХ УСИЛИТЕЛЕЙ НА GAN НЕМТ ТРАНЗИСТОРАХ К ВОЗДЕЙСТВИЮ ВХОДНОЙ СВЧ МОЩНОСТИ

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅