G 帯PTFE SIW 十字交差形3dB カプラの試作・評価

机译：G频段PTFE SIW交叉交叉交叉交叉式3DB耦合器的原型和评价

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放射光直接エッチングによるPTFE の加工とAu 膜の形成プロセスにより，PTFE 基板集積導波管(PTFE SIW)の180 GHz 帯バトラーマトリクスを形成できることが報告されている．今回，その構成要素となるPTFE SIW 十字交差形3dB カプラの試作・評価を試みたので報告する．

机译：通过辐射直接蚀刻和Au膜的处理加工加工过程，PTFE板集成波导（PTFE SIW）据悉，可以形成180 GHz频带巴特勒矩阵这是。这次，PTFE SIW十字架是它的组件我们尝试了原型和评估交叉形3DB耦合器。

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来源
《電子情報通信学会;電子情報通信学会総合大会》||41|共1页
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作者
岸原充佳; 藤谷海斗; 山口明啓; 内海裕一; 太田勲;
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