absorption coefficients; gallium compounds; III-V semiconductors; indium compounds; laser variables measurement; optical fabrication; quantum well lasers; semiconductor growth; wide band gap semiconductors;
机译:在低缺陷密度独立式GaN衬底上制造的m平面In_xGa_(1-x)N / GaN多量子阱激光二极管晶片中的各向异性光学增益
机译:直接比较在Pendeo外延GaN和蓝宝石衬底上生长的InGaN基激光二极管结构的光学特性
机译:在c面GaN衬底上生长的光泵浦激光器的激光和光学增益约为500 nm
机译:在M平面GaN衬底上生长的420nm IngaN的激光二极管光学增益和吸收
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:在a平面和m平面GaN衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱的光学和偏振特性的研究
机译:在(11(2)over-bar2)GaN衬底上生长的InGaN激光二极管结构在474 nm处的受激发射