BTI; High-K; Metal Gate; Ramped Bias; Reliability; TDDB;
机译:漏极偏置为28 nm的高K金属栅极p-MOSFET器件对负偏置温度不稳定性下降的新见解
机译:活化退火温度对高k /金属栅叠层p型金属氧化物半导体场效应晶体管的性能,负偏置温度不稳定性和介电击穿寿命的影响
机译:用于金属门/高$ k $堆栈的偏置温度不稳定性测试的电压斜坡应力
机译:机械理解高k金属装置中击穿和偏置温度不稳定性,使用内联快速斜坡偏置试验
机译:偏置温度不稳定性和高级栅极电介质的逐步击穿的实验研究。
机译:客体浓度偏置电流和热激活延迟荧光器件中磁电致发光的温度相关符号反转
机译:高k /金属栅UTBB-FDSOI器件建模的多尺度策略,重点是反偏压对迁移率的影响
机译:高K场效应晶体管偏置温度不稳定性测量中的异常漏电压依赖性