Triple Patterning Lithography; Mask Misalignment; Coupling Capacitance;
机译:通过蛇形沟道图案化掩模改善性能的GaN和InGaN多量子阱的位错减少和应力松弛
机译:面向16至11 nm半间距生成的极端紫外光刻图案化掩模缺陷检测性能评估
机译:光纤码分多址系统中峰值脉冲功率,脉冲宽度和编码模板未对准的限制
机译:考虑多个图案化分解中的掩模未对准性能评估
机译:由于激光和光(解)复用器未对准,导致多波长光网络的性能下降
机译:ASME B89.4.19激光跟踪仪中的性能评估测试和几何未对准
机译:通过蛇形通道图案掩模改善了GaN的脱位减少和胁迫弛豫,具有改进的性能。
机译:掩蔽场:用于学习,识别和预测多个图案化数据分组的大规模并行神经结构