【24h】

A Low Switching Loss Superjunction MOSFET (Super J-MOS) by Optimizing Surface Design

机译:优化表面设计,通过优化表面设计进行低开关损耗超结MOSFET(超级J-MOS)

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摘要

In purpose of making power MOSFETs more efficient in electric equipments,we have launched 600V-class Superjunction MOSFET(Super J-MOS) with excellent switching performance trade-off between turn-off loss (Eoff) and turn-off dV/dt. The Super J-MOS achieved the Eoff of 165uJ at the turn-off dV/dt of 10kV/us in a step down chopper circuit by optimizing a gate-to drain capacitance (Cgd) and a threshold voltage (Vth). The Eoff in the Super J-MOS is reduced by about 38% compared to a Competitor A in a 400W-class power supply.As a result, the power supply using the fabricated Super J-MOS achieved 0.35% higher efficiency compared with Competitor A.
机译:目的是在电气设备中更有效率的电力MOSFET,我们推出了600V级超结MOSFET(超级J-MOS),在关闭损耗(EOFF)和关闭DV / DT之间具有出色的开关性能折衷。通过优化栅极 - 以漏电电容(CGD)和阈值电压(VTH),Super J-MOS在步进斩波电路中在10kV / US的关闭DV / DT处实现了165UJ的EOFF。与400W级电源中的竞争对手A相比,超级J-MOS中的Eoff减少了约38%。结果,使用制造的超级J-MOS的电源与竞争对手相比,使用制造的超级J-MOS的电源实现了0.35%的效率。 。

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