优化EMI的超结MOSFET版图结构及制造方法

摘要

本发明涉及优化EMI的超结MOSFET版图结构及制造方法，该方法通过poly布图，结合P‑body自对准注入工艺，达到增加MOSFET的Cgd，减小dv/dt，提高器件EMI性能的目的，同时省掉了一层body版。本发明通过特殊的poly布图，结合P‑body自对准注入工艺，可以达到增加MOSFET的Cgd，减小dv/dt，提高器件EMI性能的目的，同时省掉了一层body版，降低了产品的生产成本；通过仿真，结构的Cgd明显增加，使得在器件使用过程中，dv/dt减小，EMI性能提升。