Department of Ecosystem Engineering, The University of Tokushima, Tokushima 770-8506, Japan;
surface defect, DUV-Raman spectroscopy, homoepitaxially grown film;
机译:深紫外显微拉曼研究4H-SiC同质外延生长膜中的表面缺陷
机译:在多孔SiC衬底上生长的重氮掺杂4H-SiC同质外延膜
机译:H_2 / Ar比对甲基三氯硅烷生长的同质外延4H-SiC薄膜表面形貌和结构缺陷的影响
机译:DUV显微拉曼光谱研究同质外延生长的4H-SiC薄膜中的彗星结构
机译:通过热壁化学气相沉积法生长的同质外延4H-碳化硅(1120)薄膜的界面上的多型稳定性,微观结构演变和杂质
机译:固-气相外延在Si(111)上生长的3C-SiC薄膜的微喇曼映射
机译:深紫外显微拉曼研究4H-SiC同质外延生长膜中的表面缺陷