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METHOD FOR IMPROVING THE SURFACE SMOOTHNESS, THE CRYSTAL STRUCTURE AND THE MICROWAVE SURFACE RESISTANCE OF YBa2Cu3O7- delta HIGH-TEMPERATURE SUPERCONDUCTOR FILMS GROWN ON CeO2-BUFFERED r-CUT SAPPHIRE SUBSTRATES

机译:改善在CeO2填充的r-Cut蓝宝石衬底上生长的YBa2Cu3O7-δ高温超导体薄膜的表面光滑度,晶体结构和微波表面电阻的方法

摘要

The invention comprises post-annealing of CeO2-buffered r-cut sapphire substrate at a temperature range of 960 - 1050 DEG C and growing high temperature superconductor YBa2Cu3O7- delta films on the post-annealed CeO2-buffered r-cut sapphire substrate.
机译:本发明包括在960-1050℃的温度范围内对CeO 2缓冲的r-切割蓝宝石衬底进行后退火,并在后退火的CeO 2缓冲的r-cut蓝宝石衬底上生长高温超导体YBa 2 Cu 3 O 7-δ膜。

著录项

  • 公开/公告号WO0105726A3

    专利类型

  • 公开/公告日2002-03-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 LEE SANG YOUNG;

    申请/专利号WO2000KR00778

  • 发明设计人 LEE SANG YOUNG;

    申请日2000-07-18

  • 分类号H01L21/86;

  • 国家 WO

  • 入库时间 2022-08-22 00:38:38

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