Photonics Laboratory, Mitsubishi Cable Industries, LTD., 4-3 Ikejiri, Itami, Hyogo, 664-0027, Japan;
III-V semiconductors; electroluminescence; light-emitting devices;
机译:光提取效率对InGaN基发光二极管效率下降的影响
机译:量子阱形状对400-500 nm范围内基于InGaN的发光二极管的性能的影响
机译:基于InGaN的蓝色发光二极管和基于AIGalnP的红色发光二极管的电流和温度相关的效率下降
机译:高效indaN的紫色发光二极管的示范,外部量子效率超过40%
机译:高效紫色和蓝色IngaN微胶囊发光二极管
机译:理解基于InGaN的发光二极管效率下降的实验方法综述
机译:减小有效有效区域体积对incAn基发光二极管波长依赖性效率下降的影响