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机译:量子阱形状对400-500 nm范围内基于InGaN的发光二极管的性能的影响
National Nanotechnology Research Centre, King Abdulaziz City for Science and Technology, Riyadh, KSA;
Charge carrier processes; Gallium nitride; Indium; Light emitting diodes; Radiative recombination; Stimulated emission; GaN; InGaN; light-emitting diode (LED); simulation;
机译:具有不同量子阱排列的InGaN基双波长发光二极管的发光特性
机译:量子阱形状及其对InGaN / GaN发光二极管性能的影响的研究
机译:InGaN / GaN量子阱结构对蓝宝石衬底上生长的发光二极管和激光二极管性能的影响
机译:InGaN基发光二极管内部的花朵状光分布在从紫色到红色的光谱范围内运行
机译:高性能长波长C面III-氮化物发光二极管的生长,制造和表征
机译:具有局部击穿导电通道的高性能平面型InGaN基发光二极管
机译:基于高性能的平型IngaN的发光二极管,局部击穿导电通道