Department of Electronics and Akasaki Research Center, Nagoya University, Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, Japan;
scanning electron microscopy (SEM) (including EBIC); cathodoluminescence, ionoluminescence; III-V semiconductors; chemical vapor deposition (including plasma-enhanced CVD, MOCVD, etc.);
机译:低压MOVPE中Ga物种在AlGaN刻面结构上的表面扩散。
机译:选择性MOVPE中Ga在AlGaN / GaN条纹结构上的表面扩散
机译:直接在反应离子刻蚀处理过的GaN表面上进行AlGaN的金属有机气相外延生长,以制备具有高电子迁移率(〜1500cm〜2V〜(-1)s〜(-1)的AlGaN / GaN异质结构:反应离子刻蚀的影响-损坏的层去除
机译:GA对MOVPE生长中AlGaN / GaN小结构结构的表面扩散
机译:硅薄膜对AlGaN / GaN异质结构表面处理的严格研究。
机译:角分辨X射线光电子能谱研究Al2O3封端的GaN / AlGaN / GaN异质结构的表面极化
机译:MOVPE生长条件为AlGaN / GaN / Si异质结构的优化,SIN和LT-ALN中间层专为HEMT应用而设计
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管