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程建朋; 杨学林; 桑玲; 许福军; 沈波;
中国电子学会;
氮化铝镓; 氮化镓; 异质结构; 外延生长; 应力控制;
机译:使用大晶格失配感应应力控制技术在Si衬底上生长的高迁移率AlGaN / GaN异质结构
机译:通过沉积额外的热失配介电层向AlGaN / GaN异质结构中的AlGaN势垒施加压缩预应力的方法
机译:在独立的HVPE氮化镓上通过分子束外延生长GaN和AlGaN / GaN异质结构的同质外延,用于电子设备应用
机译:利用大晶格失配引起的应力控制技术在硅衬底上外延生长高质量的GaN基异质结构
机译:高性能紫外线光电探测器和LED和光电探测器的单片集成在SI上生长的P-GAN / AlGaN / GaN异质结构上的LED和PhotoTopetector
机译:使用低Al组成的单个AlGaN层在Si衬底上生长高质量和均匀的AlGaN / GaN异质结构
机译:使用单个AlGaN层与低Al组成的高质量和均匀性AlGaN / GaN异质结构的生长
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管
机译:金属有机化学气相沉积法,高质量N面GaN,InN和AlN及其合金的异质外延生长方法
机译:通过金属有机化学气相沉积异质外延生长高质量N面GaN,InN和AlN及其合金的方法
机译:通过金属有机化学气相沉积,高质量的N面GaN,其合金与AlN和InN的异质外延生长方法
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