Department of Physics, Virginia Commonwealth University, 1020 West Main St., Richmond, VA 23284, USA;
GaN; luminescence; point defects;
机译:在氢化物气相外延生长的低缺陷密度极性和非极性独立式GaN衬底上的时间分辨光致发光,正电子ni灭和Al0.23Ga0.77N / GaN异质结构生长研究
机译:在氢化物气相外延生长的低缺陷密度极性和非极性独立式GaN衬底上的时间分辨光致发光,正电子ni灭和Al_0.23Ga_0.77N / GaN异质结构生长研究
机译:在蓝宝石上生长的外延GaN和AlGaN / GaN层的界面结构缺陷和光致发光特性
机译:Si-掺杂GaN的发光性质和补偿缺陷作为黄色发光的原点的证据
机译:GaN中点缺陷的时间分辨光致发光研究。
机译:碳相关缺陷作为无意掺杂GaN增强黄色发光的来源
机译:阴极致发光作为载体运输的有效探针和下垂的ingan / GaN量子孔的异性结构中的载体传输和深水平缺陷