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International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)
International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)
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1.
Fe gettering by p~+ layer in bifacial Si solar cell fabrication
机译:
双面硅太阳能电池制造中p〜+层的铁吸收
作者:
T. Terakawa
;
D. Wang
;
H. Nakashima
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
gettering;
Fe contamination;
DLTS;
bifacial Si solar cell;
2.
First-principles calculation of positron states and annihilation at defects in semiconductors
机译:
半导体中正电子态的第一性原理计算和at灭
作者:
I. Makkonen
;
M. Hakala
;
M.J. Puska
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
positron annihilation;
density-functional theory;
defects;
semiconductors;
3.
First-principle molecular dynamics study of bond disruption and formation in SiO_2 upon irradiation
机译:
SiO_2辐照下键断裂和形成的第一性原理分子动力学研究
作者:
Mauro Boero
;
Atsushi Oshiyama
;
Pier Luigi Silvestrelli
;
Kouichi Murakami
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
free energy;
molecular dynamics;
silicon dioxide;
silicon;
4.
Ferromagnetic resonance study of magnetization relaxation in GaMnAs
机译:
GaMnAs中磁化弛豫的铁磁共振研究
作者:
Y.H. Matsuda
;
A. Oiwa
;
K. Tanaka
;
H. Munekata
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
GaMnAs;
ferromagnetic resonance;
gilbert dumping factor;
5.
First-principles theory of the temperature dependence of vibrational lifetimes for light impurities in Si
机译:
硅中轻杂质振动寿命与温度的关系的第一性原理
作者:
D. West
;
S.K. Estreicher
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
vibrational lifetimes;
hydrogen in Si;
molecular dynamics;
theory;
6.
Fluorescence EXAFS study on local structures around Eu atoms implanted in Al_xGa_(1-x)N
机译:
荧光EXAFS研究Al_xGa_(1-x)N中注入的Eu原子周围的局部结构
作者:
H. Ofuchi
;
T. Nishiwaki
;
K. Takaba
;
K. Ogawa
;
M. Tabuchi
;
Y. Takeda
;
A. Wakahara
;
A. Yoshida
;
T. Ohshima
;
H. Ito
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
AlGaN;
Eu;
EXAFS;
cathodeluminescence;
7.
Formation of V_NH and MgV_NH in p-type GaN(Mg,H)
机译:
在p型GaN(Mg,H)中形成V_NH和MgV_NH
作者:
A.F. Wright
;
S.M. Myers
;
M. Sanati
;
S.K. Estreicher
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
gallium nitride;
magnesium doping;
nitrogen vacancy;
hydrogen;
8.
EL2 model based on indications of an intermediate metastable state
机译:
基于中间亚稳态指示的EL2模型
作者:
P.P. Favero
;
J.M.R. Cruz
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
EL2;
deep centers;
GaAs;
9.
High-temperature investigation of ZnS:Ga and CdSe:Ga
机译:
ZnS:Ga和CdSe:Ga的高温研究
作者:
K. Lott
;
T. Nirk
;
O. Volobujeva
;
S. Shinkarenko
;
L. Tuern
;
U. Kallavus
;
A. Grebennik
;
A. Vishnjakov
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
zinc sulfide;
cadmium selenide;
electrical conductivity;
defects;
10.
Luminescence from defects in GaN
机译:
GaN中的缺陷发光
作者:
M.A. Reshchikov
;
H. Morkoc
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
GaN;
luminescence;
point defects;
11.
Magnetospectroscopy to 30 T of donor states in InP
机译:
磁波光谱法检测InP中30 T的供体态
作者:
R.A. Lewis
;
P.E. Simmonds
;
Y.-J. Wang
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
Ⅲ-Ⅳ;
magnetospectroscopy;
donors;
InP;
12.
MBE growth and characterization of GaAs_(1-x)Sb_x epitaxial layers on Si (001) substrates
机译:
Si(001)衬底上GaAs_(1-x)Sb_x外延层的MBE生长和表征
作者:
T. Toda
;
F. Nishino
;
A. Kato
;
T. Kambayashi
;
Y. Jinbo
;
N. Uchitomi
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
GaAs_(1-x)Sb_x;
heteroepitaxy;
AlSb;
narrow band-gap semiconductor;
13.
Identification of divacancies in 4H-SiC
机译:
鉴定4H-SiC中的空位
作者:
N.T. Son
;
T. Umeda
;
J. Isoya
;
A. Gali
;
M. Bockstedte
;
B. Magnusson
;
A. Ellison
;
N. Morishita
;
T. Ohshima
;
H. Itoh
;
E. Janzen
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
divacancies;
electron paramagnetic resonance;
Ab initio calculations;
14.
Low temperature EL2 recovery started by 1.06 μm nanosecond pulses: An autocatalytic process?
机译:
从1.06μm纳秒脉冲开始进行低温EL2回收:自动催化过程?
作者:
Junio M.R. Cruz
;
Priscila P. Favero
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
EL2;
deep centers;
high optical power;
optical recovery;
15.
Luminescence from ZnO nanoparticles/SiO_2 fabricated by ion implantation and thermal oxidation
机译:
离子注入和热氧化制备的ZnO纳米颗粒/ SiO_2的发光
作者:
H. Amekura
;
Y. Sakuma
;
K. Kono
;
Y. Takeda
;
N. Kishimoto
;
Ch. Buchal
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
ZnO;
nanoparticle;
ion implantation;
photoluminescence;
16.
Lattice location of ~(12)B implanted in Si
机译:
硅中注入〜(12)B的晶格位置
作者:
T. Izumikawa
;
K. Matsuta
;
K. Sato
;
T. Miyake
;
M. Mihara
;
M. Fukuda
;
S.Y. Zhu
;
T. Minamisono
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
thermal atomic jump;
dopant impurity;
implantation;
P-NMR;
17.
Local vibration modes of shallow thermal donors in nitrogen-doped CZ silicon crystals
机译:
氮掺杂CZ硅晶体中浅热供体的局部振动模式
作者:
N. Inoue
;
M. Nakatsu
;
H. Ono
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
silicon;
nitrogen;
infrared absorption;
shallow thermal donor;
18.
Localization of nodal quasiparticles and plateau transitions
机译:
节点准粒子的定位和平稳过渡
作者:
Y. Morita
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
anderson localization;
2D electron gas;
19.
Local motion of hydrogen around platinum in Si
机译:
氢在Si中铂周围的局部运动
作者:
N. Bao
;
Y. Kamiura
;
Y. Yamashita
;
T. Ishiyama
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
Si;
platinum;
hydrogen;
DLTS;
20.
Local structure of gold impurities in silicon determined by EXAFS
机译:
用EXAFS测定硅中金杂质的局部结构
作者:
J. Bollmann
;
T. Leisegang
;
D.C. Meyer
;
J. Weber
;
H.-E. Mahnke
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
Au;
deep impurity;
local structure;
XAFS;
silicon;
21.
High-pressure oxygen treatment of ZnO thin films
机译:
ZnO薄膜的高压氧处理
作者:
B.I. Kim
;
S.C. Kim
;
B.C. Shin
;
T.S. Kim
;
M.Y. Jung
;
Y.S. Yu
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
ZnO;
PLD;
PL;
oxygen treatment;
22.
Growth mechanism of ZnSe single crystal by chemical vapour transport method
机译:
ZnSe单晶化学气相传输法生长机理
作者:
T. Yamauchi
;
Y. Takahara
;
M. Naitoh
;
N. Narita
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
chemical vapour transport;
zinc-selenide;
growth mechanism;
23.
Growth of bulk β-FeSi_2 crystals by annealing of well-aligned solidification structures
机译:
通过良好取向的凝固组织的退火来生长块状β-FeSi_2晶体
作者:
A. Mishina
;
T. Akahori
;
Y. Terai
;
I. Yamauchi
;
Y. Fujiwara
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
bulk β-FeSi_2;
crystallographic orientation;
Si-based optoelectronics;
EBSP;
24.
Growth of InGaN multiple quantum wells and GaN eplilayer on GaN substrate
机译:
在GaN衬底上生长InGaN多量子阱和GaN磊晶层
作者:
Sung-Nam Lee
;
H.S. Paek
;
J.K. Son
;
T. Sakong
;
E. Yoon
;
O.K. Nam
;
Y. Park
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
GaN;
InGaN;
homoepitaxy;
PL;
surface orientation;
25.
Growth and characterization of Al_xGa_(1-x)N LEO substrates
机译:
Al_xGa_(1-x)N LEO衬底的生长和表征
作者:
H.S. Paek
;
T. Sakong
;
S.N. Lee
;
J.K. Son
;
H.Y. Ryu
;
O.K. Nam
;
Y. Park
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
GaN;
Al composition;
LEO;
LD;
26.
Growth of misfit dislocation-free p/p~+ thick epitaxial silicon wafers on Ge-B-codoped substrates
机译:
Ge-B掺杂衬底上无失配位错的p / p〜+厚外延硅晶片的生长
作者:
Huihua Jiang
;
Deren Yang
;
Xiangyang Ma
;
Daxi Tian
;
Liben Li
;
Duanlin Que
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
epitaxial silicon wafers;
misfit dislocation;
Ge-B codoped silicon;
27.
Behavior of 3d-transition metals in different SiC polytypes
机译:
3d过渡金属在不同SiC多型中的行为
作者:
J.F. Justo
;
W.V.M. Machado
;
L.V.C. Assali
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
transition metals;
magnetic impurities;
silicon carbide;
28.
Phonon-assisted changes in charge states of deep level defects in germanium
机译:
声子辅助锗深能级缺陷电荷状态的变化
作者:
A.V. Markevich
;
V.V. Litvinov
;
V.V. Emtsev
;
V.P. Markevich
;
A.R. Peaker
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
germanium;
electron-phonon interactions;
deep levels;
29.
Positron trapping at thermal vacancies in highly As-doped Si
机译:
高砷掺杂硅中热空位的正电子陷阱
作者:
K. Pennanen
;
V. Ranki
;
K. Saarinen
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
silicon;
thermal vacancies;
diffusion;
positron annihilation;
30.
Point defects in dilute nitride III-N-As and III-N-P
机译:
稀氮化物III-N-As和III-N-P中的点缺陷
作者:
W.M. Chen
;
LA. Buyanova
;
C.W. Tu
;
H. Yonezu
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
dilute nitrides;
defects;
ODMR;
non-radiative;
31.
Nitrogen-related defects in GaP and GaAs
机译:
GaP和GaAs中与氮有关的缺陷
作者:
W. Ulrici
;
B. Clerjaud
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
GaP;
GaAs;
nitrogen;
32.
Negative thermal quenching of photoluminescence in ZnO
机译:
ZnO中光致发光的负热猝灭
作者:
M. Watanabe
;
M. Sakai
;
H. Shibata
;
C. Satou
;
S. Satou
;
T. Shibayama
;
H. Tampo
;
A. Yamada
;
K. Matsubara
;
K. Sakurai
;
S. Ishizuka
;
S. Niki
;
K. Maeda
;
I. Niikura
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
photoluminescence;
negative thermal quenching;
ZnO;
33.
Native defects in In_xGa_(1-x)N alloys
机译:
In_xGa_(1-x)N合金中的固有缺陷
作者:
S.X. Li
;
K.M. Yu
;
J. Wu
;
R.E. Jones
;
W. Walukiewicz
;
J.W. Ager III
;
W. Shan
;
E.E. Haller
;
Hai Lu
;
William J. Schaff
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
InN;
InGaN;
native defects;
fermi stabilization energy;
34.
Nonlinear infrared photoconductivity in Ge doped with As or Zn
机译:
掺砷或锌的锗中的非线性红外光电导
作者:
H. Nakata
;
A. Yokoyama
;
N. Tsubouchi
;
K. Fujii
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
infrared;
photoconductivity;
Ge;
35.
Multiple neutral and singly ionized magnesium donors in silicon
机译:
硅中的多个中性和单离子镁供体
作者:
L.T. Ho
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
silicon;
magnesium;
donor;
spectrum;
36.
Native-defect-controlled n-type conductivity in InN
机译:
InN中自然缺陷控制的n型电导率
作者:
R.E. Jones
;
S.X. Li
;
L. Hsu
;
K.M. Yu
;
W. Walukiewicz
;
Z. Liliental-Weber
;
J.W. Ager III
;
E.E. Haller
;
H. Lu
;
W.J. Schaff
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
InN;
radiation;
native defects;
mobility;
37.
Structural and optical properties of Si-nanoclusters embedded in silicon dioxide
机译:
嵌入二氧化硅的硅纳米团簇的结构和光学性质
作者:
P.T. Huy
;
V.V. Thu
;
N.D. Chien
;
C.A.J. Ammerlaan
;
J. Weber
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
nanosilicon;
photoluminescence;
XPS;
38.
Photoconductive properties of ZnO crystals with post-growth annealing
机译:
生长后退火对ZnO晶体的光电导性能
作者:
Y. Sato
;
H. Kusumi
;
H. Yamaguchi
;
T. Komiyama
;
T. Aoyama
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
annealing;
defects;
photoconductivity;
ZnO;
39.
Photoluminescence studies of high-quality ZnO single crystals by hydrothermal method
机译:
水热法研究高质量ZnO单晶的光致发光
作者:
M. Yoneta
;
K. Yoshino
;
M. Ohishi
;
H. Saito
会议名称:
《》
|
2005年
关键词:
bulk ZnO;
photoluminescence spectra;
reflectance spectra;
40.
Radiation-induced defects in SiC-MESFETs after 2-MeV electron irradiation
机译:
2 MeV电子辐照后SiC-MESFET中的辐射诱发缺陷
作者:
H. Ohyama
;
K. Takakura
;
K. Uemura
;
K. Shigaki
;
T. Kudou
;
M. Arai
;
S. Kuboyama
;
S. Matsuda
;
C. Kamezawa
;
E. Simoen
;
C. Claeys
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
SiC-MESFET;
radiation damage;
induced deep levels;
41.
Radiation defects and degradation of Si photodiodes irradiated by neutrons at low temperature
机译:
低温下中子辐照的硅光电二极管的辐射缺陷和降解
作者:
K. Takakura
;
K. Hayama
;
D. Watanabe
;
H. Ohyama
;
T. Kudou
;
K. Shigaki
;
S. Matsuda
;
S. Kuboyama
;
T. Kishikawa
;
J. Uemura
;
E. Simoen
;
C. Claeys
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
Si photodiode;
radiation damage;
neutron irradiation;
induced defect levels;
42.
Raman spectroscopy of hydrogen molecules in germanium
机译:
锗中氢分子的拉曼光谱
作者:
M. Hiller
;
E.V. Lavrov
;
J. Weber
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
hydrogen molecule;
platelets;
Ge;
raman scattering;
43.
Photoluminescence of Pt-loaded TiO_2 powder
机译:
负载Pt的TiO_2粉末的光致发光
作者:
H. Nakajima
;
T. Mori
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
titanium dioxide;
platinum;
photoluminescence;
electron transfer;
44.
Photoluminescence of single colour defects in 50 nm diamond nanocrystals
机译:
50 nm金刚石纳米晶体中单色缺陷的光致发光
作者:
F. Treussart
;
V. Jacques
;
E. Wu
;
T. Gacoin
;
P. Grangier
;
J.-F. Roch
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
diamond;
nanocrystals;
colour centres defects;
single photon;
45.
Photoluminescence enhancement of β-FeSi_2 by optimizing Al-doping concentration
机译:
通过优化Al掺杂浓度来增强β-FeSi_2的光致发光
作者:
Yoshikazu Terai
;
Yoshihito Maeda
;
Yasufumi Fujiwara
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
β-FeSi_2;
photoluminescence;
impurity doping;
46.
Photoluminescence properties of high-quality ZnO thin films prepared by an RF-magnetron sputtering method
机译:
射频磁控溅射法制备高质量ZnO薄膜的光致发光性能
作者:
D. Kim
;
T. Shimomura
;
S. Wakaiki
;
T. Terashita
;
M. Nakayama
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
ZnO;
RF-magnetron sputtering;
photoluminescence;
P emission;
47.
Minor component ordering in wurtzite Ga_(1-x)In_xN and
机译:
纤锌矿Ga_(1-x)In_xN和
作者:
K. Laaksonen
;
M.G. Ganchenkova
;
R.M. Nieminen
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
nitride semiconductors;
ternary alloys;
structure;
theory;
48.
Microstructure of nitrides grown on inclined c-plane sapphire and SiC substrate
机译:
在倾斜c面蓝宝石和SiC衬底上生长的氮化物的微观结构
作者:
M. Imura
;
A. Honshio
;
Y. Miyake
;
K. Nakano
;
N. Tsuchiya
;
M. Tsuda
;
Y. Okadome
;
K. Balakrishnan
;
M. Iwaya
;
S. Kamiyama
;
H. Amano
;
I. Akasaki
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
A-GaN;
R-sapphire;
(3038) SiC;
MOVPE;
49.
Micro-characterisation of Si wafers by high-pressure thermopower technique
机译:
利用高压热电技术对硅片进行微表征
作者:
Sergey V. Ovsyannikov
;
Vsevolod V. Shchennikov Jr.
;
Nadezda A. Shaydarova
;
Vladimir V. Shchennikov
;
Andrzej Misiuk
;
Deren Yang
;
Irina V. Antonova
;
Sergey N. Shamin
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
Si wafers;
pre-treatment (P - T annealing, doping, implantation);
high-pressure thermoelectric measurements;
micro-characterisation technologies;
50.
Preferential substitution of Fe on physically equivalent Ga sites in GaN
机译:
Fe在GaN中物理等效的Ga位上的优先取代
作者:
W. Gehlhoff
;
D. Azamat
;
U. Haboeck
;
A. Hoffmann
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
iron;
GaN;
site preference;
EPR;
51.
Preparation and tunneling magnetoresistance of (Ga,Mn)As trilayer structures on Si (001) substrates
机译:
Si(001)衬底上(Ga,Mn)As三层结构的制备和隧穿磁阻
作者:
Shinya Sato
;
Yoshio Jinbo
;
Naotaka Uchitomi
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
GaAs on Si;
GaMnAs;
TMR;
low-temperature process;
52.
Pulsed EPR study of spin coherence time of P donors in isotopically controlled Si
机译:
脉冲EPR研究同位素控制Si中P供体的自旋相干时间
作者:
Eisuke Abe
;
Junichi Isoya
;
Kohei M. Itoh
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
electron paramagnetic resonance;
phosphorus-doped silicon;
decoherence;
spin-based quantum computer;
53.
Production of vacancy defects in high-energy Sn-ion irradiated GaN-Positron beam Doppler broadening study
机译:
高能Sn离子辐照GaN-正电子束多普勒展宽研究中空位缺陷的产生
作者:
P. Premchander
;
S. Abhaya
;
K. Sivaji
;
G. Amarendra
;
K. Baskar
;
Y.T. Lee
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
gallium nitride;
vacancies;
positron;
irradiation;
epitaxy;
54.
Real-space density-functional calculations for Si divacancies with large size supercell models
机译:
具有大型超级电池模型的Si空位的实空间密度函数计算
作者:
J.-I. Iwata
;
A. Oshiyama
;
K. Shiraishi
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
silicon;
divacancy;
real-space;
first-principles;
55.
Quantitative scanning capacitance microscopy
机译:
定量扫描电容显微镜
作者:
S. Jaensch
;
H. Schmidt
;
M. Grundmann
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
scanning probe microscopy;
HF capacitance sensor;
MOS diode;
56.
Ion relaxation and hydrogen LVM in H-irradiated GaAsN
机译:
氢辐照GaAsN中的离子弛豫和氢LVM
作者:
Mao-Hua Du
;
Sukit Limpijumnong
;
S.B. Zhang
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
ion implantation;
dilute Ⅲ-Ⅴ nitrides;
hydrogen;
IR modes;
57.
Host-isotope effect on the localized vibrational modes of oxygen dimer in isotopically enriched silicon
机译:
基质同位素对同位素富集硅中氧二聚体局部振动模式的影响
作者:
Daisuke Tsurumi
;
Kohei M. Itoh
;
Hiroshi Yamada-Kaneta
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
isotopically enriched silicon;
oxygen dimer;
LVM;
linear chain calculation;
58.
Long range strain and electrical potential induced by single edge dislocations in GaN
机译:
GaN中单边位错引起的远距离应变和电势
作者:
N. Gmeinwieser
;
P. Gottfriedsen
;
U.T. Schwarz
;
W. Wegscheider
;
R. Clos
;
A. Krtschil
;
A. Krost
;
K. Engl
;
A. Weimar
;
G. Bruederl
;
A. Lell
;
V. Haerle
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
GaN;
dislocation;
strain;
potential;
59.
Large-scale electronic-structure theory and nanoscale defects formed in cleavage process of silicon
机译:
硅裂解过程中形成的大规模电子结构理论和纳米缺陷
作者:
T. Hoshi
;
R. Takayama
;
Y. Iguchi
;
T. Fujiwara
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
order-N electronic-structure theory;
nanoscale defect;
surface process of silicon;
bias-dependent STM image;
60.
Leakage current in Ti/4H-SiC Schottky barrier diode
机译:
Ti / 4H-SiC肖特基势垒二极管中的漏电流
作者:
K. Ohtsuka
;
Y. Matsuno
;
K. Kuroda
;
H. Sugimoto
;
Y. Tarui
;
M. Imaizumi
;
T. Takami
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
SiC power device;
the schottky barrier;
interface pinning;
bunching steps;
61.
Local vibrational modes of hydrogen in GaN: Observation and theory
机译:
GaN中氢的局部振动模式:观察和理论
作者:
R.N. Pereira
;
B. Bech Nielsen
;
M. Stavola
;
M. Sanati
;
S.K. Estreicher
;
M. Mizuta
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
GaN;
hydrogen;
local vibrational mode;
implantation;
62.
Local modes of hydrogen defects in Si:Ge and Ge:Si
机译:
Si:Ge和Ge:Si中氢缺陷的局部模式
作者:
R.N. Pereira
;
B. Bech Nielsen
;
J. Coutinho
会议名称:
《》
|
2005年
关键词:
SiGe;
hydrogen;
FTIR;
Ab initio theory;
63.
Location of the H+/- level: Experimental limits for muonium
机译:
H +/-水平的位置:Experimental的实验极限
作者:
R.L. Lichti
;
K.H. Chow
;
J.M. Gil
;
D.L. Stripe
;
R.C. Vilao
;
S.F.J. Cox
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
hydrogen;
muonium;
defect levels;
64.
Local band and defect transitions in InGaN observed by valence electron energy loss spectroscopy
机译:
价电子能量损耗光谱法观察InGaN中的局部能带和缺陷转变
作者:
P. Specht
;
X. Xu
;
R. Armitage
;
E.R. Weber
;
R. Erni
;
C. Kisielowski
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
band gap;
defect transition;
VEELS;
nitrides;
65.
Local p-type conductivity in n-GaN and n-ZnO layers due to inhomogeneous dopant incorporation
机译:
n-GaN和n-ZnO层中由于不均匀掺杂而导致的局部p型导电性
作者:
A. Krtschil
;
D.C. Look
;
Z.-Q. Fang
;
A. Dadgar
;
A. Diez
;
A. Krost
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
defects;
conductivity domains;
mixed conductivity;
p-type ZnO;
66.
Heavy ion-induced damage in SiC Schottky barrier diode
机译:
SiC肖特基势垒二极管中的重离子诱导损伤
作者:
C. Kamezawa
;
H. Sindou
;
T. Hirao
;
H. Ohyama
;
S. Kuboyama
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
silicon carbide;
radiation damage;
heavy ion;
linear energy transfer (LET);
67.
Growth and characterization of Mn-doped cubic-GaN
机译:
锰掺杂立方氮化镓的生长与表征
作者:
Fumiyoshi Takano
;
Hironori Ofuchi
;
JeungWoo Lee
;
Koki Takita
;
Hiro Akinaga
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
cubic GaN:Mn;
RF-plasma-assisted MBE;
magnetism;
68.
Gallium and nitrogen vacancies in GaN: Impurity decoration effects
机译:
GaN中的镓和氮空位:杂质装饰效应
作者:
S. Hautakangas
;
V. Ranki
;
I. Makkonen
;
M.J. Puska
;
K. Saarinen
;
L. Liszkay
;
D. Seghier
;
H.P. Gislason
;
J.A. Freitas
;
Jr.
;
R.L. Henry
;
X. Xu
;
D.C. Look
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
positron;
annihilation;
vacancy;
69.
Ferromagnetic semiconductors for spintronics
机译:
自旋电子学的铁磁半导体
作者:
Hideo Ohno
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
Ⅲ-Ⅴ semiconductors;
ferromagnetism;
spintronics;
transition metal doping;
70.
Gettering mechanism of transition metals in silicon calculated from first principles
机译:
根据第一性原理计算的硅中过渡金属的吸杂机理
作者:
Kazuhito Matsukawa
;
Nobuyoshi Hattori
;
Shigeto Maegawa
;
Koun Shirai
;
Hiroshi Katayama-Yoshida
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
gettering;
copper;
pseudo potential;
binding energy;
71.
First-principles calculations of dielectric constants of C_(20) bulk using Wannier functions
机译:
使用Wannier函数计算C_(20)体的介电常数的第一性原理
作者:
Jun Otsuka
;
Tomoya Ono
;
Kouji Inagaki
;
Kikuji Hirose
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
first-principles calculations;
C_(20) bulk;
dielectric constants;
wannier functions;
72.
Formation and properties of stacking faults in nitrogen-doped 4H-SiC
机译:
掺氮4H-SiC中堆垛层错的形成及性质
作者:
K. Irmscher
;
M. Albrecht
;
M. Rossberg
;
H.-J. Rost
;
D. Siche
;
G. Wagner
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
silicon carbide;
stacking faults;
nitrogen doping;
73.
First-principles study of strain effects on Mn in Si
机译:
应变对硅中锰影响的第一性原理研究
作者:
S. Yabuuchi
;
E. Ohta
;
H. Kageshima
;
A. Taguchi
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
first-principles calculation;
magnetic semiconductor;
Si;
strain;
74.
First-principles study of leakage current through thin SiO_2 films
机译:
SiO_2薄膜泄漏电流的第一性原理研究
作者:
Daisuke Nakagawa
;
Katsuhiro Kutsuki
;
Tomoya Ono
;
Kikuji Hirose
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
first-principles calculation;
leakage current;
SiO_2 film;
75.
Formation and clustering of surface vacancies under electronic excitation on semiconductor surfaces
机译:
半导体表面电子激发下表面空位的形成和聚集
作者:
J. Kanasaki
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
laser;
semiconductor surfaces;
structural changes;
desorption;
76.
Electron energy dependence on inducing the photoluminescence lines of 6H-SiC by electron irradiation
机译:
电子能量依赖于电子辐照诱导6H-SiC的光致发光线
作者:
C.C. Ling
;
X.D. Chen
;
M. Gong
;
C.L. Yang
;
W.K. Ge
;
J.N. Wang
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
photoluminescence;
silicon carbide;
alphabet lines;
electron irradiation;
77.
Fluorescence EXAFS analysis of local structures around Cr atoms in (Ga,Cr)As
机译:
(Ga,Cr)As中Cr原子周围局部结构的荧光EXAFS分析
作者:
H. Ofuchi
;
M. Yamada
;
J. Okabayashi
;
M. Mizuguchi
;
K. Ono
;
Y. Takeda
;
M. Oshima
;
H. Akinaga
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
(Ga,Cr)As;
EXAFS;
X-ray diffraction;
78.
Electronic states of germanium grown under micro-gravity condition
机译:
在微重力条件下生长的锗的电子态
作者:
A. Sugahara
;
T. Ogawa
;
K. Fujii
;
T. Ohyama
;
J. Nakata
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
growth in microgravity environments;
diamagnetic and cyclotron resonances;
spin-orbit coupling, zeeman and stark splitting, jahn-teller effect;
79.
Electrical properties of ZnO thin films grown by MOCVD
机译:
MOCVD生长的ZnO薄膜的电学性质
作者:
O. Pagni
;
N.N. Somhlahlo
;
C. Weichsel
;
A.W.R. Leitch
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
ZnO;
hall effect;
electrical properties;
MOCVD;
80.
Electrical characterization of proton irradiated p~+-n-n~+ Si diode
机译:
质子辐照的p〜+ -n-n〜+ Si二极管的电学特性
作者:
J.H. Kim
;
D.U. Lee
;
E.K. Kim
;
Y.H. Bae
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
deep level transient spectroscopy;
defect states;
minority carrier lifetime;
proton irradiation;
81.
Enhancement of oxygen precipitation in Czochralski silicon wafers by high-temperature anneals
机译:
通过高温退火增强切克劳斯基硅片中氧气的沉淀
作者:
Ling Zhong
;
Xiangyang Ma
;
Daxi Tian
;
Deren Yang
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
oxygen precipitation;
czochralski silicon;
82.
Enhancement of photoluminescence at 1.54 μm from Er in strained Si and SiGe
机译:
应变Si和SiGe中Er的1.54μm光致发光增强
作者:
T. Ishiyama
;
S. Yoneyama
;
Y. Yamashita
;
Y. Kamiura
;
T. Date
;
T. Hasegawa
;
K. Inoue
;
K. Okuno
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
erbium;
strain;
silicon;
photoluminescence;
83.
Energetics of native defects in CuAlO_2
机译:
CuAlO_2中天然缺陷的能量学
作者:
I. Hamada
;
H. Katayama-Yoshida
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
delafossite;
CuAlO_2;
native defect;
Ab initio calculation;
84.
Effect of nitrogen doping on denuded zone formed by rapid thermal process in Czochralski silicon wafer
机译:
氮掺杂对切克劳斯基硅片中快速热处理形成的裸露区的影响
作者:
Can Cui
;
Deren Yang
;
Xiangyang Ma
;
Ruixin Fan
;
Liben Li
;
Duanlin Que
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
denuded zone;
oxygen precipitate;
silicon;
85.
Effects of thermal cycle annealing on reduction of defect density in lattice-mismatched InGaAs solar cells
机译:
热循环退火对晶格失配InGaAs太阳能电池缺陷密度降低的影响
作者:
T. Sasaki
;
K. Arafune
;
H.S. Lee
;
N.J. Ekins-Daukes
;
S. Tanaka
;
Y. Ohshita
;
M. Yamaguchi
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
InGaAs;
solar cells;
graded buffer;
thermal cycle annealing;
86.
Differential reflectance spectrum measurement to evaluate defects introduced by wet cleaning process
机译:
差分反射光谱测量以评估湿法清洁工艺引入的缺陷
作者:
K. Inagaki
;
T. Miyata
;
K. Endo
;
K. Hirose
;
Y. Mori
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
silicon;
differential reflectance spectrum;
wet cleaning;
surface strain;
87.
Diffusion effect-induced InNAs films growth on GaAs (100) substrates by MOCVD
机译:
MOCVD在GaAs(100)衬底上扩散效应诱导的InNAs膜生长
作者:
F.W. Yan
;
Y. Naoi
;
M. Tsukihara
;
S. Kawamichi
;
T. Yadani
;
K. Sumiyoshi
;
S. Sakai
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
InNAs;
interdiffusion;
TEM;
SIMS;
88.
Characterization of subsurface hydrogen in diamond films by high-resolution elastic recoil detection analysis
机译:
高分辨率弹性反冲检测分析表征金刚石薄膜中的地下氢
作者:
Kazushi Hayashi
;
Nobuyuki Kawakami
;
Chikara Ichihara
;
Koji Kobashi
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
diamond films;
hydrogen;
elastic recoil detection analysis;
rutherford backscattering spectrometry;
89.
Characterization of defects created in Cz and epitaxial Si doped with Ga or B using Laplace-DLTS
机译:
使用Laplace-DLTS表征Cz和掺杂Ga或B的外延Si中产生的缺陷
作者:
Cloud Nyamhere
;
P.N.K. Deenapanray
;
F.D. Auret
;
F.C. Farlow
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
defects;
laplace DLTS;
czochralski Si;
gallium doping;
90.
Coexistence of chalcopyrite and CuAu-type ordered structures in In_(0.52)Al_(0.48)As epilayers grown on InP substrates
机译:
在InP衬底上生长的In_(0.52)Al_(0.48)As外延层中黄铜矿和CuAu型有序结构共存
作者:
Hyung Koun Cho
;
Dong Chan Kim
;
Eundeok Sim
;
Won Suk Han
;
Sung Bum Bae
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
InAlAs;
MOCVD;
ordering;
TEM;
91.
Characterization of nitrogenated amorphous carbon thin films grown by microwave surface wave plasma CVD
机译:
微波表面波等离子体CVD法制备的氮化非晶碳薄膜的表征
作者:
Hare Ram Aryal
;
Sudip Adhikari
;
Ashraf M. M. Omer
;
Sunil Adhikary
;
Hideo Uchida
;
Masayoshi Umeno
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
a-C:N;
gas pressure;
microwave surface-wave plasma CVD;
92.
Carrier mobility and crystal perfection of tetracene thin film FET
机译:
并四极薄膜FET的载流子迁移率和晶体完善性
作者:
N. Moriguchi
;
T. Nishikawa
;
T. Anezaki
;
A. Unno
;
M. Tachibana
;
K. Kojima
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
crystal perfection;
carrier mobility;
organic semiconductor;
organic FET;
93.
High-resolution magnetic-resonance spectroscopy of thermal donors in silicon
机译:
硅中热供体的高分辨率磁共振波谱
作者:
V.V. Emtsev Jr.
;
C.A.J. Ammerlaan
;
A.A. Ezhevskii
;
A.V. Gusev
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
monoisotopic silicon;
thermal donors;
high-frequency EPR;
94.
High-resolution DLTS of vacancy-donor pairs in P-, As- and Sb-doped silicon
机译:
P,As和Sb掺杂硅中空位供体对的高分辨率DLTS
作者:
F.D. Auret
;
A.R. Peaker
;
V.P. Markevich
;
L. Dobaczewski
;
R.M. Gwilliam
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
laplace (high-resolution) DLTS;
E-centers;
silicon;
electron irradiation;
95.
Superdiffusion in semiconductors: Dynamics of radiation-enhanced superdiffusion
机译:
半导体中的超扩散:辐射增强超扩散的动力学
作者:
Takao Wada
;
Hiroshi Fujimoto
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
electron beam doping;
photoluminescence;
kick-out mechanism;
radiation-enhanced superdiffusion;
96.
Simulation of the response of divacancy and As-V complex in silicon to external elastic strains
机译:
硅中空位和As-V络合物对外部弹性应变的响应模拟
作者:
M.G. Ganchenkova
;
V.A. Borodin
;
S. Nicolaysen
;
R. Nieminen
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
silicon;
divacancy;
arsenic;
vacancy;
Ab initio;
97.
Room-temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition of SiOCH films using tetraethoxysilane
机译:
使用四乙氧基硅烷的SiOCH薄膜的室温等离子体增强化学气相沉积
作者:
K. Yamaoka
;
Y. Yoshizako
;
H. Kato
;
D. Tsukiyama
;
Y. Terai
;
Y. Fujiwara
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
low dielectric materials;
PECVD;
TEOS;
98.
Shallow bistable non-effective-mass-like donors in hydrogen-implanted silicon
机译:
氢注入硅中的浅双稳态非有效质量样供体
作者:
S.Zh. Tokmoldin
;
A.T. Issova
;
Kh.A. Abdullin
;
B.N. Mukashev
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
shallow hydrogen-related donor;
99.
Reconstruction of mono-vacancies in carbon nanotubes: Atomic relaxation vs. spin polarization
机译:
碳纳米管中单空位的重构:原子弛豫与自旋极化
作者:
S. Berber
;
A. Oshiyama
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
nanotubes;
mono-vacancies;
magnetic nanocarbon;
100.
Vacancy-impurity pairs in n-type Si_(1-x)Ge_x studied by positron spectroscopy
机译:
正电子光谱法研究n型Si_(1-x)Ge_x中的空位-杂质对
作者:
M. Rummukainen
;
J. Slotte
;
K. Saarinen
;
H.H. Radamson
;
J. Hallstedt
;
A.Yu. Kuznetsov
会议名称:
《International Conference on Defects in Semiconductors; 20050724-29; Awaji Island(JP)》
|
2005年
关键词:
SiGe;
relaxed;
defects;
positron spectroscopy;
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