IMEC, Kapeldreef 75, B - 3001 Leuven;
机译:应变硅的选择性外延沉积:一种简单而有效的方法来制造高性能MOSFET器件
机译:避免负载效应和刻面生长-成功实施HBT-BiCMOS和高迁移率异沟道pMOS器件的选择性外延SiGe沉积的关键参数
机译:使用选择性外延生长和横向固相外延的-D BiCMOS技术的器件特性
机译:(选择性)应变Si的外延生长,以制造低成本和高性能CMOS器件
机译:CMOS技术中的双极性器件表征和设计,用于设计高性能低成本BiCMOS模拟集成电路
机译:非常适合单分子定位显微镜的工业级CMOS相机的特性–低成本高性能超高分辨率
机译:低于100nm的应变si CmOs:器件性能和电路行为