MRG, IESL, Foundation for Research and Technology-Hellas (FORTH), Vassilika Vouton, PO BOX 1527, 71110 Heraklion, Crete, Greece;
IMEP, ENSERG, 23 rue des Martyrs, BP 257, FR-38016 Grenoble Cedex 1, France;
Svetlana-Electronpribor, 27, pr. Engelsa, 194021,;
microwave modulators; switches; p-I-n diode; insertion loss; isolation; silicon carbide;
机译:基于4H-SiC P-I-N二极管的微波开关的处理技术和研究的开发
机译:基于4H-SiC的微波p-i-n二极管和开关
机译:基于4H-SiC p-i-n二极管的微波调制器
机译:基于4H-SiC P-I-N二极管的微波开关和调制器
机译:基于数值模拟的脉冲功率应用4H-SiC光电导开关的评估。
机译:基于局部掺杂碳纳米管网络的p-i-n结二极管
机译:弹道电子发射显微镜研究4H-SiC p-i-n二极管中单个堆叠故障3C夹杂物的量子阱行为
机译:共面波导不连续性用于p-I-N二极管开关和滤波器应用