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Silicon Carbide and Related Materials 2007
Silicon Carbide and Related Materials 2007
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1.
Impact of High-k Dielectrics on Breakdown Performances of SiC and Diamond Schottky Diodes
机译:
高k电介质对SiC和金刚石肖特基二极管击穿性能的影响
作者:
G. Brezeanu
;
M. Brezeanu
;
C. Boianceanu
;
F. Udrea
;
G.A.J. Amaratunga
;
P. Godignon
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
schottky diode;
edge termination;
high-k dielectric;
diamond;
2.
Field-plate Terminated Pt- 4H-SiC SBD Using Thermal SiO_2 and Sputter Deposited AlN Dielectric Stack
机译:
使用热SiO_2和溅射沉积AlN介电堆栈的场板端接Pt / n-4H-SiC SBD
作者:
Kumta A.
;
Xia J. H.
;
Rusli
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
4H-SiC;
schottky barrier diode;
field plate termination;
High-K dielectricsL AlN;
3.
3.3 kV-10A 4H-SJC PiN diodes
机译:
3.3 kV-10A 4H-SJC PiN二极管
作者:
Pierre Brosselard
;
Nicolas Camara
;
Jawad Hassan
;
Xavier Jorda
;
Peder Bergman
;
Josep Montserrat
;
Jose Millan
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
4H-silicon carbide;
bipolar diode;
stacking faults formation;
basal plane dislocation;
4.
Bevel Mesa Combined with Implanted Junction Termination Structure for 10 kV SiC PiN Diodes
机译:
斜面台面与注入结终止结构相结合的10 kV SiC PiN二极管
作者:
Tom Hiyoshi
;
Tsutomu Hori
;
Jun Suda
;
Tsunenobu Kimoto
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
breakdown;
bevel mesa;
JTE;
PiN diode;
field crowding;
5.
Observation of Crystalline Defects Causing pn Junction Reverse Leakage Current
机译:
pn结反向漏电流引起的晶体缺陷的观察
作者:
T. Watanabe
;
Y. Nakao
;
K. Fujihira
;
N. Miura
;
Y. Tarui
;
M. lmaizumi
;
T. Oomori
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
pn junction;
leakage current;
crystalline defects;
etch pits;
TEM;
6.
Comparative Evaluation of Anode Layers on the Electrical Characteristics of High Voltage 4H-SiC PiN Diodes
机译:
阳极层对高压4H-SiC PiN二极管电特性的比较评估
作者:
P A Losee
;
Y Wang
;
C Li
;
S K Sharma
;
I B Bhat
;
T P Chow
;
R J Gutmann
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
4H-SiC PiN;
diode;
7.
Self-heating of 4H-SiC PiN Diodes at High Current Densities
机译:
高电流密度下4H-SiC PiN二极管的自热
作者:
Michael E. Levinshtein
;
Tigran T. Mnatsakanov
;
Pavel A. Ivanov
;
John W. Palmour
;
Mrinal K. Das
;
Brett A. Hull
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
PiN diode;
self-heating;
negative differential resistance;
8.
Impact of RIE Etching on the Breakdown Voltage of 4H-SiC Mesa Diodes
机译:
RIE刻蚀对4H-SiC台面二极管击穿电压的影响
作者:
H. Vang
;
S. Scharnholz
;
C. Raynaud
;
M. Lazar
;
G. Paques
;
D. Planson
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
RIE;
mesa;
PiN diode;
breakdown voltage;
9.
Novel SiC Zener diodes with High Operating Temperature of 300°C and High Power Density of 40 kW/cm~2
机译:
新型SiC齐纳二极管,具有300°C的高工作温度和40 kW / cm〜2的高功率密度
作者:
R. Ishii
;
K. Nakayama
;
H. Tsuchida
;
Y. Sugawara
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
4H-SiC;
zener diode;
high temperature;
high power;
10.
Microwave Switches and Modulators Based on 4H-SiC P-I-N Diodes
机译:
基于4H-SiC P-I-N二极管的微波开关和调制器
作者:
Konstantinos Zekentes
;
Volodymyr V.Basanets
;
Mykola S. Boltovets
;
Valentyn A. Kryvutsa
;
Volodymyr O. Orechovskij
;
Vasyl I. Simonchuk
;
Alexander V. Zorenko
;
Leonid P. Romanov
;
Aleksey V. Kirillov
;
Edwige Bano
;
Nicolas Camara
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
p-i-n diodes;
microwave switches;
insertion loss;
isolation;
11.
Annealing Effect on Characteristics of p~+n 4H-SiC Diode Formed by Al Ion Implantation
机译:
退火对铝离子注入形成p〜+ n 4H-SiC二极管特性的影响
作者:
M. Satoh
;
S. Miyagawa
;
T. Kudoh
;
A. Egami
;
K. Numajiri
;
M. Shibagaki
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
ion implantation;
annealing;
EBAS;
12.
Numerical Evaluation of Forward Voltage in SiC Pin Diode with Non-Ohmic Current Component in Contact to P-Type Layer
机译:
非欧姆电流分量接触P型层的SiC PIN二极管中正向电压的数值评估
作者:
K. Ohtsuka
;
Y. Tarui
;
T. Watanabe
;
K. Fujihira
;
Y. Matsuno
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
p-contact;
non-ohmic Schottky contact;
forward voltage;
bipolar devices;
13.
Room temperature annealing effects on leakage current of ion implanted p~+n 4H-SiC diodes
机译:
室温退火对离子注入p〜+ n 4H-SiC二极管漏电流的影响
作者:
Francesco Moscatelli
;
Fabio Bergamini
;
Antonella Poggi
;
Mara Passini
;
Fabrizio Tamarri
;
Marco Bianconi
;
Roberta Nipoti
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
ion implantation;
defect annealing;
p~+n diodes;
14.
Determination of ambipolar lifetime and epilayer thickness of 5kV SiC bipolar devices by transient switching studies
机译:
通过瞬态开关研究确定5kV SiC双极器件的双极寿命和表层厚度
作者:
Tarek Ben Salah
;
Damien Risaletto
;
Christophe Raynaud
;
Kamel Besbes
;
Dominique Bergogne
;
Dominique Planson
;
Herve Morel
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
ambipolar lifetime;
high voltage;
bipolar diodes;
switching transient;
15.
Transient Response to High Energy Heavy Ions in 6H-SiC n~+p Diodes
机译:
6H-SiC n〜+ p二极管中对高能重离子的瞬态响应
作者:
S. Onoda
;
T. Ohshima
;
T. Hirao
;
S. Hishiki
;
N. Iwamoto
;
K. Kojima
;
K. Kawano
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
6H-SiC n~+p diode;
transient current;
technology computer aided design (TCAD);
16.
Degradation of Charge Collection Efficiency for 6H-SiC Diodes by Electron Irradiation
机译:
电子辐照降低6H-SiC二极管的电荷收集效率
作者:
N. Iwamoto
;
S. Onoda
;
S. Hishiki
;
T. Ohshima
;
M. Murakami
;
I. Nakano
;
K. Kawano
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
6H-SiC n~+p diode;
charge collection efficiency (CCE);
transient ion beam induced current (TIBIC);
electron irradiation;
17.
1200-V, 50-A, Silicon Carbide Vertical Junction Field Effect Transistors for Power Switching Applications
机译:
用于电源开关应用的1200V,50A碳化硅垂直结场效应晶体管
作者:
Victor Veliadis
;
Ty McNutt
;
Megan McCoy
;
Harold Hearne
;
Gregory DeSalvo
;
Chris Clarke
;
Paul Potyraj
;
Charles Scozzie
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
JFET;
large area;
normally-on;
high voltage;
high current;
high power;
18.
High-Temperature Static and Dynamic Reliability Study of 4H-SiC Vertical-Channel JFETs for High-Power System Applications
机译:
用于大功率系统的4H-SiC垂直沟道JFET的高温静态和动态可靠性研究
作者:
L. Cheng
;
P. Martin
;
M. S. Mazzola
;
D. C. Sheridan
;
R. L. Kelly
;
V. Bondarenko
;
S. Morrison
;
R. Gray
;
G. Tian
;
J. D. Scofield
;
J. R. B. Casady
;
J. B. Casady
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
high-temperature;
reliability;
SiC;
JFETs;
high-power system;
HTRB;
thermal stress;
19.
High-Temperature Operation of 50 A (1600 A/cm~2), 600 V 4H-SiC Vertical-Channel JFETs for High-Power Applications
机译:
适用于大功率应用的50 A(1600 A / cm〜2),600 V 4H-SiC垂直沟道JFET的高温操作
作者:
L. Cheng
;
I. Sankin
;
V. Bondarenko
;
M. S. Mazzola
;
J. D. Scofield
;
D. C. Sheridan
;
P. Martin
;
J. R. B. Casady
;
J. B. Casady
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
high temperature;
high current;
JFET;
vertical-channel;
4H-SiC;
high power;
20.
Normally-off 4H-SiC Vertical JFET with Large Current Density
机译:
大电流密度常关4H-SiC垂直JFET
作者:
Haruka Shimizu
;
Yasuo Onose
;
Tomoyuki Someya
;
Hidekatsu Onose
;
Natsuki Yokoyama
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
SiC;
JFET;
normally-off;
trench;
dopant profile;
abrupt junction;
21.
Silicon Carbide Vertical JFET Operating at High Temperature
机译:
高温下运行的碳化硅垂直JFET
作者:
Konstantin Vassilevski
;
Keith P. Hilton
;
Nicholas Wright
;
Michael Uren
;
Alison Munday
;
Irina Nikitina
;
Alan Hydes
;
Alton Horsfall
;
C. Mark Johnson
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
VJFET;
TI-VJFET;
4H-SiC;
implantation;
high current density;
high temperature electronics;
22.
Fast Switching Characteristics of 4H-SiC RESURF-type JFET
机译:
4H-SiC RESURF型JFET的快速开关特性
作者:
Kazuhiro Fujikawa
;
Kenichi Sawada
;
Takashi Tsuno
;
Hideto Tamaso
;
Shin Harada
;
Yasuo Namikawa
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
RESURF-type JFET;
switching characteristics;
4H-SiC;
23.
Switching Performance of Epitaxially Grown Normally-off 4H-SiC JFET
机译:
外延生长常关型4H-SiC JFET的开关性能
作者:
R.K. Malhan
;
S.J.Rashid
;
M. Kataoka
;
Y. Takeuchi
;
N. Sugiyama
;
F. Udrea
;
G.A.J. Amaratunga
;
T. Reimann
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
SiC;
normally-off JFET;
embedded epitaxy;
dual gate;
switching characteristics;
24.
1270V, 1.21mΩ·cm~2 SiC Buried Gate Static Induction Transistors (SiC-BGSITs)
机译:
1270V,1.21mΩ·cm〜2 SiC埋栅静电感应晶体管(SiC-BGSITs)
作者:
Yasunori Tanaka
;
Koji Yano
;
Mitsuo Okamoto
;
Akio Takatsuka
;
Kazuo Arai
;
Tsutomu Yatsuo
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
4H-SiC;
BGSIT;
JFET;
on-resistance;
breakdown voltage;
25.
Three Dimensional Analysis of Turnoff Operation of SiC Buried Gate Static Induction Transistors (BG-SITs)
机译:
SiC埋入式栅极静电感应晶体管(BG-SIT)关断操作的三维分析
作者:
K.Yano
;
Y. Tanaka
;
T. Yatsuo
;
A. Takatsuka
;
M.Okamoto
;
K. Arai
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
SiC;
static induction transistor;
power device;
device simulation;
26.
Fabrication and Testing of 6H-SiC JFETs for Prolonged 500 °C Operation in Air Ambient
机译:
6H-SiC JFET的制造和测试,以在空气环境中长时间运行500°C
作者:
David J. Spry
;
Philip G. Neudeck
;
Liang-Yu Chen
;
Glenn M. Beheim
;
Robert S. Okojie
;
Carl W. Chang
;
Roger D. Meredith
;
Terry L. Ferrier
;
Laura J. Evans
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
6H-SiC;
JFET;
jnction field effect;
transistor;
durability;
reliability;
high temperature;
amplifier;
differential amplifier;
and packaging;
27.
Silicon Carbide Differential Amplifiers for High-Temperature Sensing
机译:
高温感应碳化硅差动放大器
作者:
Amita Patil
;
Xiao-an Fu
;
Philip Neudeck
;
Glenn Beheim
;
Mehran Mehregany
;
Steven Garverick
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
junction field effect transistors;
silicon carbide electronics;
high-temperature electronics;
sensor interface circuits;
differential amplifiers;
28.
SiC Lateral Trench JFET for Harsh-Environment Wireless Systems
机译:
适用于恶劣环境无线系统的SiC横向沟槽JFET
作者:
Igor Sankin
;
Vlad Bondarenko
;
David Sheridan
;
Mike Mazzola
;
Jeff Casady
;
John Fraley
;
Marcelo Schupbach
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
SiC;
LTJFET;
high temperature;
wireless telemetry;
29.
Development of High Temperature Lateral HV and LV JFETs in 4H-SiC
机译:
4H-SiC中高温横向HV和LV JFET的开发
作者:
Y. Zhang
;
K. Sheng
;
M. Su
;
J.H. Zhao
;
P. Alexandrov
;
L. Fursin
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
junction field-effect transistor (JFET);
power integrated circuits;
high temperature;
silicon carbide (SiC);
30.
Influence of Passivation Oxide Properties on SiC Field-plated Buried Gate MESFETs
机译:
钝化氧化物性能对SiC场埋埋栅极MESFET的影响
作者:
P.Å. Nilsson
;
M. Sudow
;
F. Allerstam
;
K. Andersson
;
E. O. Sveinbjornsson
;
H. Hjelmgren
;
N. Rorsman
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
silicon carbide;
MESFET;
passivation;
oxide;
microwave;
31.
RF Characteristics of a Fully Ion-implanted MESFET with Highly Doped Thin Channel Layer on a Bulk Semi-insulating 4H-SiC Substrate
机译:
块状半绝缘4H-SiC衬底上具有高掺杂薄沟道层的全离子注入MESFET的RF特性
作者:
S. Katakami
;
S. Ono
;
M. Arai
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
ion implantation;
MESFET;
semi-insulating substrate;
ft;
fmax;
32.
Measurement of Local Temperatures using□ μ-Raman of SiC and AlGaN-GaN/SiC Power and RF Devices
机译:
使用SiC和AlGaN-GaN / SiC功率和RF器件的□μ拉曼测量局部温度
作者:
Orest J. Glembocki
;
Joshua D. Caldwell
;
Jeffrey A. Mittereder
;
Jeffrey P. Calame
;
Steven C. Binari
;
Robert E. Stahlbush
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
μ-raman temperature measurement;
AlGaN/GaN HEMT's;
SiC MESTFET's;
4H-SiC;
pin diodes;
IR temperature measurement;
33.
(11-20) face channel MOSFET with low on-resistance
机译:
具有低导通电阻的(11-20)面沟道MOSFET
作者:
Eiichi Okuno
;
Takeshi Endo
;
Jun Kawai
;
Toshio Sakakibara
;
Shoichi Onda
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
(11-20);
channel mobility;
MOSFET;
low resistance;
hydrogen termination;
dangling bond;
34.
Normally-off 4H-SiC Power MOSFET with Submicron Gate
机译:
具有亚微米栅极的常关4H-SiC功率MOSFET
作者:
Kenya Yamashita
;
Kyoko Egashira
;
Koichi Hashimoto
;
Kunimasa Takahashi
;
Osamu Kusumoto
;
Kazuya Utsunomiya
;
Masashi Hayashi
;
Masao Uchida
;
Chiaki Kudo
;
Makoto Kitabatake
;
Shin Hashimoto
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
4H-SiC;
MOSFET;
normally-off;
submicron gate;
self-aligned process;
35.
Investigation into Short-Circuit Ruggedness of 1.2 kV 4H-SiC MOSFETs
机译:
1.2 kV 4H-SiC MOSFET的短路耐受性研究
作者:
Y. Nakao
;
S. Watanabe
;
N. Miura
;
M. Imaizumi
;
T. Oomori
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
high voltage;
power MOSFET;
short circuit;
36.
Effect of Recombination-Induced Stacking Faults on Majority Carrier Conduction and Reverse Leakage Current on 10 kV SiC DMOSFETs
机译:
重组诱发的堆叠故障对10 kV SiC DMOSFET的多数载流子传导和反向漏电流的影响
作者:
Sei-Hyung Ryu
;
Husna Fatima
;
Sarah Haney
;
Qingchun Zhang
;
Robert Stahlbush
;
Anant Agarwal
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
stacking faults;
majority carrier conduction;
leakage current;
DMOSFET;
BJT;
37.
950 Volt 4H-SiC MOSFETs: DC and Transient Performance and Gate Oxide Reliability
机译:
950伏4H-SiC MOSFET:直流和瞬态性能以及栅极氧化物的可靠性
作者:
Kevin Matocha
;
Zachary Stum
;
Steve Arthur
;
Greg Dunne
;
Ljubisa Stevanovic
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
MOSFETs;
DMOSFET;
reliability;
time-dependent dielectric breakdown;
38.
Evaluation of 4H-SiC DMOSFETs for High-Power Electronics Applications
机译:
评估用于大功率电子应用的4H-SiC DMOSFET
作者:
Ronald Green
;
Aderinto Ogunniyi
;
Dimeji Ibitayo
;
Gail Koebke
;
Mark Morgenstern
;
Aivars Lelis
;
Corey Dickens
;
Brett Hull
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
4H-SiC;
DMOSFET;
power devices;
switching loss;
39.
Comparison of 10 kV 4H-SiC Power MOSFETs and IGBTs for High Frequency Power Conversion
机译:
10 kV 4H-SiC功率MOSFET和IGBT用于高频功率转换的比较
作者:
Ginger Walden
;
Ty McNutt
;
Marc Sherwin
;
Stephen Van Campen
;
Ranbir Singh
;
Rob Howell
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
4H-SiC;
IGBT;
MOSFET;
simulation;
power conversion;
SiC device comparison;
40.
On-State and Switching Performance of High-Voltage 15 - 20 kV 4H-SiC DMOSFETs and IGBTs
机译:
高压15-20 kV 4H-SiC DMOSFET和IGBT的导通状态和开关性能
作者:
T. Tamaki
;
G. G. Walden
;
Y. Sui
;
J. A. Cooper
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
4H-SiC;
MOSFET;
IGBT;
switching;
simulation;
device comparison;
41.
Temperature and Time Dependent Threshold Voltage Instability in 4H-SiC Power DMOSFET Devices
机译:
4H-SiC功率DMOSFET器件中温度和时间相关的阈值电压不稳定性
作者:
Marko J. Tadjer
;
Karl D. Hobart
;
Eugene A. lmhoff
;
Fritz J. Kub
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
silicon carbide;
4H-SiC;
threshold voltage;
DMOSFET;
temperature dependence;
time dependence;
stress;
interface;
trap;
42.
1200 V 4H-SiC BJTs with a Common Emitter Current Gain of 60 and Low On-resistance
机译:
1200 V 4H-SiC BJT,具有60的共同发射极电流增益和低导通电阻
作者:
H.-S. Lee
;
M. Domeij
;
C.-M. Zetterling
;
R. Ghandi
;
M. OEstling
;
F. Allerstam
;
E. OE. Sveinbjoernsson
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
bipolar junction transistor;
emitter size effect;
surface recombination;
junction termination;
43.
1600 V, 5.1 mΩ· cm~24H-SiC BJT with a High Current Gain of β=70
机译:
1600 V,5.1mΩ·cm〜24H-SiC BJT,高电流增益为β= 70
作者:
Jianhui Zhang
;
Petre Alexandrov
;
Jian H. Zhao
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
silicon carbide;
bipolar junction transistor;
power transistor;
44.
4H-SiC Bipolar Junction Transistors with A Current Gain of 108
机译:
电流增益为108的4H-SiC双极结型晶体管
作者:
Qingchun (Jon) Zhang
;
Charlotte Jonas
;
AI Burk
;
Craig Capell
;
Jonathan Young
;
Robert Callanan
;
Anant Agarwal
;
John Palmour
;
Bruce Geil
;
Charles Scozzie
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
SiC;
bipolar junction transistor;
current gain;
on-resistance;
BV_(CEO);
BV_(CBO);
45.
Simulation and Modeling of Thermal Effects in 4H-SiC NPN BJTs
机译:
4H-SiC NPN BJTs热效应的仿真与建模
作者:
Chih-Fang Huang
;
Chien-Yuen Tseng
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
thermal effects;
4H-SiC;
bipolar junction transistors;
46.
Behavior of Stacking Faults in TEDREC Phenomena for 4.5 kV SiCGT
机译:
4.5 kV SiCGT在TEDREC现象中的堆叠故障行为
作者:
K. Nakayama
;
Y. Sugawara
;
Y. Miyanagi
;
K. Asano
;
S. Ogata
;
S. Okada
;
T. Izumi
;
A. Tanaka
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
V_f degradation;
TEDREC phenomena;
stacking fault;
47.
Reliability Testing of 4H-SiC Bipolar Junction Transistors in Continuous Switching Applications
机译:
连续开关应用中4H-SiC双极结晶体管的可靠性测试
作者:
Steven L. Kaplan
;
Aderinto Ogunniyi
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
silicon carbide;
bipolar;
junction;
transistor;
reliability;
switching;
48.
A Simple and Reliable Electrical Method for Measuring the Junction Temperature and Thermal Resistance of 4H-SiC Power Bipolar Junction Transistors
机译:
一种简单可靠的电气方法,用于测量4H-SiC功率双极结晶体管的结温和热阻
作者:
K.G.P. Eriksson
;
M. Domeij
;
H-S. Lee
;
C.-M. Zetterling
;
M. OEstling
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
bipolar junction transistor;
junction temperature;
thermal resistance;
49.
Electron Irradiation Lifetime Control for SiC Bipolar Devices of 200 kVA High Power SiC Inverters
机译:
200 kVA大功率SiC逆变器SiC双极型器件的电子辐照寿命控制
作者:
Y.Sugawara
;
S.Ogata
;
Y.Miyanagi
;
K.Asano
;
S.Okada
;
A.Tanaka
;
K.Nakayama
;
T.Izumi
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
electron irradiation;
lifetime control;
SiC biplar device;
output power loss;
SiC inverter;
50.
A 13 kV 4H-SiC n-channel IGBT with Low R_(diff,on) and Fast Switching
机译:
具有低R_(diff,on)和快速开关的13 kV 4H-SiC n沟道IGBT
作者:
Mrinal K. Das
;
Qingchun (Jon) Zhang
;
Robert Callanan
;
Craig Capell
;
Jack Clayton
;
Matthew Donofrio
;
Sarah Haney
;
Fatima Husna
;
Charlotte Jonas
;
James Richmond
;
Joseph J. Sumakeris
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
IGBT;
MOSFET;
high voltage;
high temperature;
51.
12 kV 4H-SiC p-IGBTs with Record Low Specific On-resistance
机译:
具有创纪录的低导通电阻的12 kV 4H-SiC p-IGBT
作者:
Qingchun (Jon) Zhang
;
Charlotte Jonas
;
Joe Sumakeris
;
Anant Agarwal
;
John Palmour
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
SiC;
IGBT;
on-resistance;
p-channel;
high power;
high voltage;
surge capability;
52.
Design, Simulation, and Characterization of High-Voltage SiC p-IGBTs
机译:
高压SiC p-IGBT的设计,仿真和表征
作者:
Y. Sui
;
J. A. Cooper
;
X. Wang
;
G. G. Walden
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
silicon carbide;
insulated gate bipolar transistor (IGBT);
high voltage;
power switching devices;
wide bandgap;
53.
SiC Based Optically-gated High-power Solid-state Switch for Pulsed-power Application
机译:
基于SiC的光控大功率固态开关,用于脉冲功率应用
作者:
Sudip K. Mazumder
;
Tirthajyoti Sarkar
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
SiC;
optically triggered;
hybrid structure;
GaAs;
pulsed-power switch;
54.
Hydrogen Gas Sensors Fabricated on Atomically Flat 4H-SiC Webbed Cantilevers
机译:
原子平坦的4H-SiC蹼状悬臂上制造的氢气传感器
作者:
Philip G. Neudeck
;
David J. Spry
;
Andrew J. Trunek
;
Laura J. Evans
;
Liang-Yu Chen
;
Gary W. Hunter
;
Drago Androjna
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
gas sensor;
hydrogen;
webbed cantilevers;
hydrogen sensor;
atomically flat;
on-axis;
step-free surface;
schottky diode;
platinum;
55.
4H-SiC Single Photon Avalanche Diode for 280nm UV Applications
机译:
用于280nm UV应用的4H-SiC单光子雪崩二极管
作者:
Jun Hu
;
Xiaobin Xin
;
Petre Alexandrov
;
Jian H. Zhao
;
Brenda L. VanMil
;
D. Kurt Gaskill
;
Kok-Keong Lew
;
Rachael Myers-Ward
;
Charles R. Eddy Jr.
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
SPAD;
single photon detection efficiency;
quantum efficiency;
and visible blind;
56.
Avalanche Multiplication and Impact lonisation in Separate Absorption and Multiplication 4H-SiC Avalanche Photodiodes
机译:
4H-SiC雪崩光电二极管在单独吸收和繁殖中的雪崩倍增和冲击电离
作者:
W. S. Loh
;
J. P. R. David
;
S. I. Soloviev
;
H.-Y.Cha
;
P. M. Sandvik
;
J. S. Ng
;
C. M. Johnson
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
avalanche photodiodes;
impact ionization;
avalanche breakdown;
4H-SiC;
avalanche multiplication;
temperature dependence;
local model;
57.
Observation of Luminescence from Defects in 4H-SiC APDs Operating in Avalanche Breakdown
机译:
在雪崩击穿中操作的4H-SiC APD中的缺陷发光的观察
作者:
S. Soloviev
;
P. Sandvik
;
A. Vertiatchikh
;
K. Dovidenko
;
Ho-Young Cha
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
avalanche photodiode;
electroluminescence;
defects;
EBIC;
58.
Schottky barrier lowering in 4H-SiC Schottky UV detector
机译:
4H-SiC肖特基紫外线检测器中的肖特基势垒降低
作者:
Antonella Sciuto
;
Fabrizio Roccaforte
;
Salvatore Di Franco
;
Vito Raineri
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
SiC;
schottky diodes;
UV photodetector;
59.
The Influence of Radiation Defects on the Charge Transport in SiC Nuclear Detectors in Conditions of Elevated Temperatures and Deep Compensation of the Conductivity
机译:
高温和电导率深度补偿条件下辐射缺陷对SiC核探测器中电荷传输的影响
作者:
A.M. Ivanov
;
N.B. Strokan
;
A.A. Lebedev
;
V.V. Kozlovski
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
nuclear detector;
ion implantation;
charge collection efficiency;
low-temperature annealing;
60.
High Power-density SiC Converter
机译:
高功率密度SiC转换器
作者:
S. Kinouchi
;
H. Nakatake
;
T. Kitamura
;
S. Azuma
;
S. Tominaga
;
S. Nakata
;
Y. Nakao
;
T. Oi
;
T. Oomori
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
power density;
converter;
power loss;
cooling system;
DC-link capacitor;
motor operation;
thermal resistance;
61.
3D Thermal Stress Model for SiC Power Modules
机译:
SiC功率模块的3D热应力模型
作者:
Bang-Hung Tsao
;
Jacob Lawson
;
James Scofield
;
Clinton Laing
;
Jeffery Brown
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
SiC power module;
finite element analysis (FEA);
thermal stress;
62.
Efficiency Improvement of PV-lnverters with SiC-DMOSFETs
机译:
使用SiC-DMOSFET提高光伏逆变器的效率
作者:
B. Burger
;
D. Kranzer
;
O. Stalter
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
efficiency;
power semiconductor device;
PV-Inverter;
SiC-device;
high frequency power converter;
cost reduction;
63.
A High Performance CCM PFC Circuit Using a SiC Schottky Diode and a Si SuperFET™ Switch
机译:
使用SiC肖特基二极管和Si SuperFET™开关的高性能CCM PFC电路
作者:
Won-Suk Choi
;
Sung-Mo Young
;
R.L. Woodin
;
A.W. Witt
;
J. Shovlin
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
power factor correction;
PFC;
schottky diode;
continuous conduction mode;
CCM;
switching losses;
reverse recovery;
64.
Summary of SiC Research for Transportation Applications at ORNL
机译:
SiC在ORNL的运输应用中的研究摘要
作者:
Madhu Chinthavali
;
Burak Ozpineci
;
Leon M. Tolbert
;
Hui Zhang
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
SiC;
high temperature;
transportation applications;
65.
Growth of thick AlN layers by High Temperature CVD (HTCVD)
机译:
通过高温CVD(HTCVD)生长厚的AlN层
作者:
A. Claudel
;
E. Blanquet
;
D. Chaussende
;
M. Audier
;
D. Pique
;
M. Pons
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
HTCVD;
AlN;
thin films;
epitaxial relationship;
thermodynamic;
66.
Epitaxial lateral overgrowth of (1100)m-plane GaN on m-plane 6H-SiC by metalorganic chemical vapor deposition
机译:
金属有机化学气相沉积法在m平面6H-SiC上外延生长(1100)m平面GaN
作者:
X. Ni
;
UE. OEzguer
;
S. Chevtchenko
;
J. Nie
;
H. Morkoc
;
R. P. Devaty
;
W. J. Choyke
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
MOCVD;
m-plane;
GaN;
epitaxial lateral overgrowth;
lateral epitaxial overgrowth;
67.
Growth and characterization of AlGaN/GaN HEMT structures on 3C-SiC/Si(111) templates
机译:
在3C-SiC / Si(111)模板上生长和表征AlGaN / GaN HEMT结构
作者:
Yvon Cordier
;
Marc Portail
;
Sebastien Chenot
;
Olivier Tottereau
;
Marcin Zielinski
;
Thierry Chassagne
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
cubic SiC;
chemical vapor deposition;
GaN;
molecular beam epitaxy;
high electron mobility transistors;
68.
Semipolar nitrides grown on Si(001) offcut substrates with 3C-SiC buffer layers
机译:
在具有3C-SiC缓冲层的Si(001)边界衬底上生长的半极性氮化物
作者:
Yoshihisa Abe
;
Jun Komiyama
;
Toshiyuki Isshiki
;
Shunichi Suzuki
;
Akira Yoshida
;
Hiroshi Ohishi
;
Hideo Nakanishi
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
semipolar nitrides;
3C-SiC;
Si substrates;
69.
Surface Morphology of AlN Epitaxial Layer Grown on Various SiC Substrates by Sublimation Closed Space Technique
机译:
升华封闭空间技术在各种SiC衬底上生长AlN外延层的表面形貌
作者:
Gi-Sub Lee
;
Myung-Ok Kyun
;
Hyun-Hee Hwang
;
Joon-Ho An
;
Won-Jae Lee
;
Byoung-Chul Shin
;
Shigehiro Nishino
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
morphology;
AlN;
closed space technique;
step-bunching;
epitaxial growth;
70.
Effects of 3C-SiC Intermediate Layer on the Properties of AlN Films Grown on SiO_2/Si Substrate
机译:
3C-SiC中间层对SiO_2 / Si衬底上生长的AlN薄膜性能的影响
作者:
Gwiy-Sang Chung
;
Tae-Won Lee
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
AlN (aluminum nitride);
3C-SiC (silicon carbide);
piezoelectric properties;
intermediate layer;
71.
Raman Scattering Analysis of Electrical Property and Crystallinity in Freestanding GaN Crystals with various Impurity Concentrations
机译:
不同杂质浓度的独立式GaN晶体中电性能和结晶度的拉曼散射分析
作者:
T. Kitamura
;
S. Nakashima
;
H. Okumura
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
GaN;
raman scattering;
electrical property;
72.
Characterization of Traps in GaN pn Junctions Grown by MOCVD on GaN Substrate Using Deep-Level Transient Spectroscopy
机译:
利用MOCVD在GaN衬底上生长的GaN pn结中的陷阱的深层瞬态光谱表征
作者:
Yutaka Tokuda
;
Youichi Matsuoka
;
Hiroyuki Ueda
;
Osamu lshiguro
;
Narumasa Soejima
;
Tetsu Kachi
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
GaN;
pn junction;
traps;
DLTS;
73.
Optical characterization of defect-related carrier recombination and transport features in GaN substrates and CVD diamonds
机译:
GaN衬底和CVD金刚石中与缺陷相关的载流子重组和传输特征的光学表征
作者:
K. Jarasiunas
;
T. Malinauskas
;
R. Aleksiejunas
;
B.Monemar
;
V. Ralchenko
;
A. Gontar
;
E. Ivakin
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
GaN;
diamonds;
transient grating technique;
74.
Characterization of V-defects in InGaN Single-Quantum-Well Films at Nanometer Level by High Spatial Resolution Cathodoluminescence Spectroscopy
机译:
高空间分辨率阴极发光光谱法表征纳米级InGaN单量子阱薄膜中的V缺陷
作者:
M.Yoshikawa
;
M.Murakami
;
T.Fujita
;
K.lnoue
;
K.Matsuda
;
H.lshida
;
H. Harima
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
cathodoluminescence;
spectroscopy;
V-defects;
InGaN;
single-quantum-well;
and film;
75.
Correlation Between Screw Dislocations Distribution and Cathodoluminescence Spectra of InGaN Single Quantum Well Films
机译:
InGaN单量子阱薄膜的螺旋位错分布与阴极发光光谱的相关性
作者:
Takaya Fujita
;
Takeshi Mitani
;
Masataka Murakami
;
Masanobu Yoshikawa
;
Hiroshi Harima
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
atomic force microscopy;
cathodoluminescence;
spectroscopy;
screw dislocation;
InGaN and single-quantum-well;
76.
Material Properties of GaN Films Grown on SiC/SOI Substrate
机译:
在SiC / SOI衬底上生长的GaN膜的材料特性
作者:
Z. C. Feng
;
C. Tran
;
I. T. Ferguson
;
J. H. Zhao
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
GaN;
3C-SiC;
SOI;
MOCVD;
XRD;
photoluminescence;
raman scattering;
77.
HRTEM Analysis of AlN Layer Grown on 3C-SiC/Si Heteroepitaxial Substrates with Various Surface Orientations
机译:
3C-SiC / Si异质外延衬底上生长的AlN层的HRTEM分析
作者:
Toshiyuki lsshiki
;
Koji Nishio
;
Yoshihisa Abe
;
Jun Komiyama
;
Shunichi Suzuki
;
Hideo Nakanishi
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
AlN;
SiC buffer layer;
interface structure;
high-resolution TEM investigation;
78.
288 V-10 V DC- DC Converter Application using AlGaN/GaN HFETs
机译:
使用AlGaN / GaN HFET的288 V-10 V DC-DC转换器应用
作者:
Seikoh Yoshida
;
Mitsuru Masuda
;
Yuki Niiyama
;
Jiang Li
;
Nariaki Ikeda
;
Takehiko Nomura
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
DC-DC;
converter;
GaN;
AlGaN;
HFET;
full bridge circuit;
switching;
79.
Multiple Ion-Implanted GaN/AlGaN/GaN HEMTs with Remarkably Low Parasitic Source Resistance
机译:
多个离子注入的GaN / AlGaN / GaN HEMT,寄生源极电阻低
作者:
Kazuki Nomoto
;
Masataka Satoh
;
Tohru Nakamura
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
GaN;
HEMT;
ion implantation;
80.
Current Collapse in AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterojunction Field Effect Transistors
机译:
AlGaN / GaN / AlGaN双异质结场效应晶体管中的电流崩溃
作者:
Mitsuaki Shimizu
;
Masaki Inada
;
Shuichi Yagi
;
Akira Nakajima
;
Hajime Okumura
;
Akinori Ubukata
;
Yoshiki Yano
;
Nakao Akutsu
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
current collapse;
AlGaN/GaN/AlGaN double heterojunction;
field effect transistor;
81.
Current Collapse Characteristic of AlGaN/GaN MIS-HEMT
机译:
AlGaN / GaN MIS-HEMT的电流崩塌特性
作者:
Shuichi Yagi
;
Mitsuaki Shimizu
;
Yoshiki Yano
;
Akinori Ubukata
;
Nakao Akutsu
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
AlGaN/GaN HEMT;
MIS;
current collapse;
high-k;
82.
The Effect of Ohmic Contact Location on the Buffer Leakage Current of AlGaN/GaN Heterostructure
机译:
欧姆接触位置对AlGaN / GaN异质结构缓冲漏电流的影响
作者:
Young-Hwan Choi
;
Jiyong Lim
;
Kyu-Heon Cho
;
In-Hwan Ji
;
Min-Koo Han
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
AlGaN;
GaN;
buffer;
leakage;
ohmic;
contact;
HEMT;
83.
Electrical Properties of Inhomogeneous Pt/GaN Schottky Barrier
机译:
非均质Pt / GaN肖特基势垒的电学性质
作者:
F. Roccaforte
;
F. lucolano
;
F. Giannazzo
;
S. Di Franco
;
V. Puglisi
;
V. Raineri
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
GaN;
schottky contact;
C-AFM;
84.
Effect of deep trap on breakdown voltage in AlGaN/GaN HEMTs
机译:
深陷阱对AlGaN / GaN HEMT中击穿电压的影响
作者:
Akira Nakajima
;
Shuichi Yagi
;
Mitsuaki Shimizu
;
Hajime Okumura
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
GaN;
HEMT;
current collapse;
breakdown voltage;
surface trap;
85.
Diamond doped by hot ion implantation
机译:
热离子注入掺杂金刚石
作者:
N. Tsubouchi
;
M. Ogura
;
H. Watanabe
;
A. Chayahara
;
H. Okushi
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
diamond;
hot ion implantation;
doping;
P;
S;
electrical properties;
86.
Annealing Behavior of Defects in Multiple-energy Nitrogen Implanted ZnO Bulk Single Crystal
机译:
多能氮注入ZnO块状单晶中缺陷的退火行为
作者:
K. Kuriyama
;
K. Matsumoto
;
M. Ooi
;
K. Kushida
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
ZnO;
nitrogen;
ion implantation;
rutherford backscattering;
photoluminescence;
thermally stimulated current;
defects;
87.
Isotropic etching of SiC
机译:
SiC的各向同性蚀刻
作者:
Th. Stauden
;
F. Niebelschuetz
;
K. Tonisch
;
V. Cimalla
;
G. Ecke
;
Ch. Haupt
;
J. Pezoldt
会议名称:
《Silicon Carbide and Related Materials 2007》
|
2009年
关键词:
Isotropic etching;
temperature dependence;
MEMS;
SF_6;
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