首页> 外文会议>CLEO;Conference on Lasers and Electro-Optics >Enhancement of light extraction efficiency for deep ultraviolet AlGaN quantum wells light-emitting diodes with III-nitride microspheres
【24h】

Enhancement of light extraction efficiency for deep ultraviolet AlGaN quantum wells light-emitting diodes with III-nitride microspheres

机译:III族氮化物微球增强深紫外AlGaN量子阱发光二极管的光提取效率

获取原文

摘要

Deep ultraviolet AlGaN quantum wells light-emitting diodes with III-nitride microspheres on the p-type layer shows significant light extraction efficiency enhancement (>5.7 times) of the dominant transverse magnetic polarized spontaneous emission.
机译:在p型层上具有III氮化物微球的深紫外AlGaN量子阱发光二极管显示出显着的横向磁极化自发发射光提取效率提高(> 5.7倍)。

著录项

  • 来源
  • 会议地点 San Jose, CA(US)
  • 作者

    Zhao, Peng;

  • 作者单位

    Department of Electrical Engineering and Computer Science Case Western Reserve University Cleveland OH 44106;

  • 会议组织
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种
  • 中图分类
  • 关键词

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号