Fraunhofer Institute of Integrated Systems and Device Technology (MSB) Schottkystrasse 10, 91058 Erlangen, Germany;
机译:新型具有沟槽氧化物的SOI横向功率器件
机译:在U型硅沟槽的侧壁和底部上生长的栅氧化物:氧化物和氧化物/硅界面条件对垂直MOS器件性能的影响
机译:侧壁氧化在浅沟槽隔离器件中的作用
机译:横向功率器件的沟槽侧壁掺杂离子注入
机译:沟槽式MOS功率器件,具有渐变的掺杂分布。
机译:碳化硅电源装置中的选择性掺杂
机译:激光诱导的局部激活Mg掺杂GaN,具有高功率垂直装置的高横向分辨率
机译:siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长