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新型屏蔽栅-深沟槽技术在功率器件中的应用及工艺开发

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本文介绍了如何应用电荷平衡效应在普通的深沟槽功率MOSFET中,进行结构的改变来进一步降低导通电阻,优化器件性能,并且介绍了此类结构中性能最为优异的屏蔽栅深沟槽的特性与工艺流程.

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来源
《集成电路应用》 |2015年第6期|34-39|共6页
作者
张怡;
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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类结构、器件;场效应器件;
关键词
半导体制造; 功率器件; MOSFET; 深沟槽技术;

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